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講演抄録/キーワード
講演名 2023-12-27 10:20
量子ドットと高分子ブレンド膜を発光層とした全塗布型発光素子の作製と積層による高性能化
伊東栄次関野太介信州大OME2023-74
抄録 (和) 本研究では半導体量子ドットと高分子ブレンド膜を発光層とした多層型発光ダイオードの開発を目指した.ITO付きガラス基板上に ITO/ ZnO-nano particles/ electron injection layer/(Hole-blocking-electron buffer layer)/QD: polymer blend light emitting layer/ PVCz (hole transporting layer :HTL1) / TFB (HTL2)/ hole injection layer/ anodeの順に電極を除き全て塗布プロセスにより作製した逆構造型の有機-無機ハイブリッド発光素子の作製と評価を行った.改良したメニスカス法により1回の塗布あたりの発光層の材料使用量をスピンコート法の1/10以下に低減し、製膜を2-3回繰り返して膜厚制御した.発光層に混ぜる高分子を絶縁体のPMMAとすることで孔輸送性のポリビニルカルバゾール(PVCz)を用いた場合に比べ低電圧動作しかつ高効率発光し,橙色発光素子で2.4 V, 青色発光素子で3.6 Vで動作した.また,低温塗布形成が可能な正孔ブロッキング性のZrOx電子バッファー層とPhosphomolybdic Acid Hydrate (PMAH)/AgをAnodeに用いた構造により効率および動作電圧がさらに改善した. 
(英) In this research, we aimed to develop a multilayered light-emitting-diodes (QLEDs) with the semiconductor quantum dots and a polymer blend light emitting layer. We fabricated and evaluated the solution-processed organic-inorganic hybrid light-emitting device with the inverted structures. The improved meniscus method reduced the amount of material used for the luminescent layer per coating to less than 1/10 that of the spin coating method, and the film thickness was controlled by repeating the film formation 2-3 times. The threshold voltage and EQE were improved by QD: PMMA blend compared with QD: PVCz blend, and then operated at 2.4 V for orange QLEDs and 3.6 V for blue QLEDs. The device properties were further improved by inserting the ZrOx based hole blocking electron buffer layer and PMAH/Ag anode based on the low-temperature and solution-processable techniques.
キーワード (和) 半導体量子ドット / 高分子ブレンド / 逆構造型 / 塗布型多層膜 / メニスカスコート / 発光ダイオード / /  
(英) Quantum Dot / Polymer blend / Inverted structure / Solution processed multilayer / Meniscus coat / Light Emitting Diode / /  
文献情報 信学技報, vol. 123, no. 328, OME2023-74, pp. 33-37, 2023年12月.
資料番号 OME2023-74 
発行日 2023-12-19 (OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2023-74

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2023-12-26 - 2023-12-27 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) OKINAWAKEN SEINENKAIKAN 
テーマ(和) バイオテクノロジー、表面界面、計測技術、エレクトロニクス、その他 
テーマ(英) biotechnology, surface and interfacial phenomena, measurement technology, electronics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2023-12-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 量子ドットと高分子ブレンド膜を発光層とした全塗布型発光素子の作製と積層による高性能化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Solution based LEDs with QD based emission layer and the improvement of device performance by multilayer deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体量子ドット / Quantum Dot  
キーワード(2)(和/英) 高分子ブレンド / Polymer blend  
キーワード(3)(和/英) 逆構造型 / Inverted structure  
キーワード(4)(和/英) 塗布型多層膜 / Solution processed multilayer  
キーワード(5)(和/英) メニスカスコート / Meniscus coat  
キーワード(6)(和/英) 発光ダイオード / Light Emitting Diode  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 栄次 / Eiji Itoh / イトウ エイジ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinsh University (略称: Shinshu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関野 太介 / Taisuke Sekino / セキノ タイスケ
第2著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinsh University (略称: Shinshu Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-12-27 10:20:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2023-74 
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.328 
ページ範囲 pp.33-37 
ページ数
発行日 2023-12-19 (OME) 


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