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VLSI設計技術研究会(VLD) [schedule] [select]
専門委員長 浜村 博史
副委員長 石浦 菜岐佐
幹事 澁谷 利行, 越智 裕之

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正
副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史, 川中 繁
幹事補佐 松井 裕一

日時 2006年 9月25日(月) 13:30 - 16:15
2006年 9月26日(火) 10:00 - 16:40
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3F 研修1号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄神谷町下車徒歩10分
http://www.jspmi.or.jp/
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 モデリング研究委員会共催

9月25日(月) 午後 
13:30 - 16:15
(1) 13:30-13:55 Sensitivity of CMOS Image Sensor and Scaling YunKyung KimMakoto IkedaKunihiro AsadaUniv. of Tokyo
(2) 13:55-14:20 クロックスケジューリングを用いたLSIのピーク電力削減手法 高橋洋介高橋篤司東工大
(3) 14:20-14:45 SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討 田辺 亮芦澤芳夫岡 秀樹富士通研
(4) 14:45-15:10 [招待講演]2006 DAC報告 ~ 低消費電力設計技術 ~ 栗山 茂半導体理工学研究センター
  15:10-15:30 休憩 ( 20分 )
(5) 15:30-16:15 [フェロー記念講演]LSIのレイアウトCADアルゴリズムの概要と他分野への応用 北澤仁志東京農工大
9月26日(火) 午前 
10:00 - 11:40
(6) 10:00-10:25 動的再構成メモリを用いた遺伝的アルゴリズム専用プロセッサ 塚原彰彦金杉昭徳東京電機大
(7) 10:25-10:50 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討 芦澤芳夫岡 秀樹富士通研
(8) 10:50-11:15 ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について 永久克己岡垣 健谷沢元昭石川清志土屋 修ルネサステクノロジ
(9) 11:15-11:40 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング 園田賢一郎石川清志栄森貴尚土屋 修ルネサステクノロジ
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
9月26日(火) 午後 
13:00 - 16:40
(10) 13:00-13:25 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 金村貴永泉田貴士青木伸俊近藤正樹伊藤早苗遠田利之岡野王俊川崎博久八木下淳史金子明生稲葉 聡中村光利石丸一成須黒恭一江口和弘東芝
(11) 13:25-13:50 High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制 吉岡由雅大村泰久関西大
(12) 13:50-14:15 32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 ~ 究極のプレーナー型MOSFET ~ 井本 努舘下八州志小林敏夫ソニー
  14:15-14:35 休憩 ( 20分 )
(13) 14:35-15:00 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化 山村 毅佐藤伸吾大村泰久関西大
(14) 15:00-15:25 ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 土屋英昭藤井一也森 隆志三好旦六神戸大
(15) 15:25-15:50 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算 三成英樹森 伸也阪大
(16) 15:50-16:15 Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method Helmy FitriawanSatofumi SoumaMatsuto OgawaTanroku MiyoshiKobe Univ.
(17) 16:15-16:40 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション 羽根正巳NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・江崎達也広島大)・山本豊二MIRAI-ASET

問合先と今後の予定
VLD VLSI設計技術研究会(VLD)   [今後の予定はこちら]
問合先 澁谷 利行 (Shibuya Toshiyuki)
E--mail:bu
Tel.044-754-2663(直通) 7112-6084(内線) メール番号:研31
株式会社富士通研究所) ITコア研究所) CAD研究部 
お知らせ ◎最新情報は、VLD研究会ホームページをご覧下さい。http://www.ieice.org/~vld/
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E--mail:etn-u,acmsk 


Last modified: 2006-07-26 18:17:16


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