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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

日時 2009年 4月23日(木) 12:50 - 17:15
2009年 4月24日(金) 09:00 - 14:40
議題 TFT(有機、酸化物)、一般 
会場名 東北大学 電気通信研究所 
住所 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1
交通案内 JR仙台駅前西口バスプール11番・霊屋橋経由に乗車。片平丁小学校前の次、東北大正門前で下車。徒歩約7分。
http://www.riec.tohoku.ac.jp/access/index-j.shtml
会場世話人
連絡先
東北大学電気通信研究所 ナノ分子デバイス研究部 庭野 道夫
022-217-5501
お知らせ ◎4月23日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

4月23日(木) 午後 
12:50 - 17:15
(1) 12:50-13:30 [招待講演]有機単結晶トランジスタ ○竹延大志(東北大/JST)
(2) 13:30-14:10 [招待講演]有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因 ○中村雅一(千葉大)
(3) 14:10-14:35 ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性 ○中山健一・楠 貴博・夫 勇進・城戸淳二(山形大)
  14:35-14:50 休憩 ( 15分 )
(4) 14:50-15:30 [特別講演]Doped organic semiconductors
-- Physics and applications --
○Karl Leo(Tohoku Univ. TU Dresden)
(5) 15:30-15:55 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ ○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博(パナソニック)
  15:55-16:10 休憩 ( 15分 )
(6) 16:10-16:50 [招待講演]塗布型有機半導体材料の開発 ○大野 玲(三菱化学科学技研センター)
(7) 16:50-17:15 アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性 ○佐藤和昭・大場好弘・片桐洋史・廣瀬文彦(山形大)・荒牧晋司・酒井良正(三菱化学)・太田員正・山口裕二(山形大)
4月24日(金) 午前 
09:00 - 14:40
(8) 09:00-09:25 結晶成長過程におけるシリコン多結晶の亜粒界発生メカニズム ○宇佐美徳隆・沓掛健太朗・藤原航三・中嶋一雄(東北大)
(9) 09:25-09:50 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製 ○木村康男・武藤高見・庭野道夫(東北大)
(10) 09:50-10:15 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆(東北大)・末光眞希(東北大/JST)
(11) 10:15-10:40 有機ゲートを用いたSiGe/Si/SiとIGBTの試作と評価 ○宮城達郎・井田雄介・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦(山形大)
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(12) 10:50-11:30 [招待講演]Color Films as Organic Devices
-- Single-Crystalline Monomolecular Layers of J-Aggregated Dyes --
○Tadaaki Tani(FUJIFILM Corp.)
(13) 11:30-11:55 機能性高分子ナノシートのベクトル的電子移動を用いた光・電子機能発現 ~ 論理素子・メモリー素子への応用 ~ ○松井 淳(東北大/JST)・島田友華・三ツ石方也(東北大)・青木 純(名工大)・宮下徳治(東北大)
  11:55-13:00 昼食 ( 65分 )
(14) 13:00-13:25 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング ○齋藤英司・末光眞希(東北大)
(15) 13:25-13:50 パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長 ○村重正悟・松本光正・稲吉陽平・末光眞希(東北大)・中嶋節男・上原 剛(積水化学)・豊島安健(産総研)
(16) 13:50-14:15 酸化チタンナノチューブの色素増感太陽電池への応用とその評価 ○小島領太・石橋健一・木村康男・庭野道夫(東北大)
(17) 14:15-14:40 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化 ○吉田洋大・始閣雅也・栗林幸永・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦(山形大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba 


Last modified: 2009-02-23 22:04:00


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