1月20日(水) 午前 10:30 - 16:20 |
(1) |
10:30-10:55 |
[依頼講演]SiC基板の評価技術とデバイス特性 |
○北畠 真(FUPET) |
(2) |
10:55-11:20 |
[依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 |
○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡(三菱電機) |
(3) |
11:20-11:45 |
[依頼講演]酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 |
○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太(NICT)・佐々木公平(タムラ/NICT)・後藤 健(タムラ/東京農工大)・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯(東京農工大)・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸(タムラ) |
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11:45-13:30 |
休憩 ( 105分 ) |
(4) |
13:30-13:55 |
[依頼講演]GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 |
○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝(ローム) |
(5) |
13:55-14:20 |
[依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~ |
○大石敏之・嘉数 誠(佐賀大) |
(6) |
14:20-14:45 |
[依頼講演]GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 |
○大野泰夫(レーザーシステム) |
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14:45-15:05 |
休憩 ( 20分 ) |
(7) |
15:05-15:30 |
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 |
○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀(富士通研) |
(8) |
15:30-15:55 |
GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 |
○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣(三菱電機) |
(9) |
15:55-16:20 |
[依頼講演]高周波用GaN-HEMTの開発 |
○川合貴久(SEDI) |