|
12:30-12:40 |
開会のあいさつ ( 10分 ) |
4月13日(月) 午後 12:40 - 15:20 |
(1) |
12:40-13:30 |
[招待講演]FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM |
○滋賀秀裕・高島大三郎・白武慎一郎・穂谷克彦・宮川 正・荻原 隆・福田 良・滝澤亮介・初田幸輔・松岡史宜・長冨 靖・橋本大輔・西村久明・日岡 健・堂前須弥子(東芝) |
(2) |
13:30-14:20 |
[招待講演]大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式 |
○秋山 悟・関口知紀・竹村理一郎・小田部 晃・伊藤清男(日立) |
|
14:20-14:30 |
休憩 ( 10分 ) |
(3) |
14:30-15:20 |
[招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発 |
○杉林直彦・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・斉藤信作(NEC)・伊藤雄一(NECエレクトロニクス)・三浦貞彦・加藤有光・森 馨(NEC)・尾崎康亮・小林洋介(NECエレクトロニクス)・大嶋則和・木下啓藏・鈴木哲広・永原聖万(NEC) |
|
15:20-15:40 |
休憩 ( 20分 ) |
4月13日(月) 午後 15:40 - 18:00 |
(4) |
15:40-18:00 |
[パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か? |
○日高秀人(ルネサステクノロジ)・山岡雅直(日立)・宮野信冶(東芝)・秋山 悟(日立)・杉林直彦(NEC)・川嶋将一郎(富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆(パナソニック) |
4月14日(火) 午前 10:15 - 11:30 |
(5) |
10:15-10:40 |
[依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM |
○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章(東芝) |
(6) |
10:40-11:05 |
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM |
○吉本秀輔・井口友輔・奥村俊介・藤原英弘・野口紘希(神戸大)・新居浩二(ルネサステクノロジ)・川口 博・吉本雅彦(神戸大) |
(7) |
11:05-11:30 |
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造 |
○奥村俊介・藤原英弘・井口友輔・野口紘希・川口 博(神戸大)・吉本雅彦(神戸大/JST) |
|
11:30-13:00 |
昼食 ( 90分 ) |
4月14日(火) 午後 13:00 - 14:15 |
(8) |
13:00-13:50 |
[招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ |
○二山拓也・藤田憲浩・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭(東芝)・亀井輝彦・那須弘明(サンディスク)・岩井 信・加藤光司・福田康之・金川直晃・安彦尚文(東芝)・松本雅英(サンディスク)・姫野敏彦・橋本寿文(東芝) |
(9) |
13:50-14:15 |
[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー |
○本間充祥(東芝)・Cuong Trinh(サンディスク)・柴田 昇・中野 威・小川幹雄・佐藤順平・竹山嘉和・磯部克明(東芝)・Binh Le・Farookh Moogat・Nima Mokhlesi・Kenji Kozakai・Patrick Hong・Teruhiko Kamei(サンディスク)・岩佐清明(東芝) |
|
14:15-14:35 |
休憩 ( 20分 ) |
4月14日(火) 午後 14:35 - 16:15 |
(10) |
14:35-15:25 |
[招待講演]三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路 |
○安福 正・石田光一(東大)・宮本晋示・中井弘人(東芝)・高宮 真・桜井貴康・竹内 健(東大) |
(11) |
15:25-15:50 |
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討 |
○菅野孝一・渡辺重佳(湘南工科大) |
(12) |
15:50-16:15 |
スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討 |
○玉井翔人・渡辺重佳(湘南工科大) |
|
16:15-16:20 |
閉会のあいさつ ( 5分 ) |