5月24日(木) 午後 13:30 - 16:40 |
(1) |
13:30-13:55 |
フレキシブル有機系熱電変換材料の作製と評価 |
○岸 直希・日比 聡・吉田祐太・小野恵輔・沢田優真・國枝泰希・近藤雄哉(名工大) |
(2) |
13:55-14:20 |
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions |
○mansoureh keikhaei・Masaya Ichimura(NIT) |
(3) |
14:20-14:45 |
減圧ドライ転写法によるサスペンデッドグラフェンを用いたMEMSバイオセンサ |
○喜種 慎・石田隼斗・澤田和明(豊橋技科大)・高橋一浩(豊橋技科大/JSTさきがけ) |
(4) |
14:45-15:10 |
Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111) |
○A. A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir・Masayuki Mori・Koichi Maezawa(University of Toyama) |
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15:10-15:25 |
休憩 ( 15分 ) |
(5) |
15:25-15:50 |
GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価 |
○堀切文正・成田好伸・吉田丈洋(サイオクス) |
(6) |
15:50-16:15 |
FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性 |
○清井 明・中村勝光(三菱電機) |
(7) |
16:15-16:40 |
トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減 |
○八子基樹(東大)・石川靖彦(豊橋技科大)・和田一実(マサチューセッツ工科大) |