11月24日(金) 午後 13:00 - 16:55 |
(1) |
13:00-13:45 |
[招待講演]トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 |
○真田 克(高知工科大) |
(2) |
13:45-14:10 |
Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製 |
○國松俊佑・今井章文(京大)・秋山賢輔(神奈川県産技センター)・前田佳均(京大) |
(3) |
14:10-14:35 |
β-FeSi2のイオンビーム合成:アニールによるSi空孔の変化 |
○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均(京大) |
(4) |
14:35-15:00 |
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性 |
○澤田睦美・松永慎一郎(富士電機アドバンストテクノロジー)・山路将晴・北村明夫(富士電機デバイステクノロジー)・藤島直人(富士電機アドバンストテクノロジー) |
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15:00-15:15 |
休憩 ( 15分 ) |
(5) |
15:15-15:40 |
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ~ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ~ |
○渡邊一世(NICT)・篠原啓介(Rockwell)・北田貴弘(徳島大)・下村 哲(愛媛大)・遠藤 聡・山下良美・三村高志(富士通研)・冷水佐壽(奈良高専)・松井敏明(NICT) |
(6) |
15:40-16:05 |
AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 |
○松島孝典・中嶋正裕・野本一貴・佐藤政孝・中村 徹(法政大) |
(7) |
16:05-16:30 |
ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 |
○葛西誠也・Alberto F. Basile・橋詰 保(北大) |
(8) |
16:30-16:55 |
AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 |
○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅・井上 薫(松下電器) |