11月9日(木) 午前 座長: 安斎久浩 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) 10:00 - 12:00 |
(1) |
10:00-11:00 |
[招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション |
○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則(名大)・寒川義裕・柿本浩一(九大) |
(2) |
11:00-12:00 |
[招待講演]SISPAD 2017 レビュー(1) |
○廣木 彰(京都工繊大) |
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12:00-13:05 |
昼食 ( 65分 ) |
11月9日(木) 午後 座長: 相馬聡文 (神戸大学) 13:05 - 15:30 |
(3) |
13:05-13:30 |
p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 |
○酒井 敦・永久克己(ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基・森 隆弘(ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・秋山 豊・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス) |
(4) |
13:30-14:30 |
[招待講演]SiC中の不純物拡散モデル |
○植松真司(慶大) |
(5) |
14:30-15:30 |
[招待講演]SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 |
○佐藤高史・大石一輝・廣本正之(京大)・新谷道広(奈良先端大) |
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15:30-15:40 |
休憩 ( 10分 ) |
11月9日(木) 午後 座長: 國清辰也 (ルネサス エレクトロ二クス) 15:40 - 16:40 |
(6) |
15:40-16:40 |
[招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション |
○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡(産総研)・橋詰 保(北大) |
11月10日(金) 座長: 高篠裕行 (ソニーセミコンダクタ) 10:00 - 12:00 |
(7) |
10:00-11:00 |
[招待講演]SISPAD 2017 レビュー(2) |
○来栖貴史(東芝メモリ) |
(8) |
11:00-12:00 |
[招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ~ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ~ |
○佐野伸行(筑波大) |
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12:00-13:30 |
昼食 ( 90分 ) |
11月10日(金) 午後 座長: 野田泰史 (パナソニック) 13:30 - 15:30 |
(9) |
13:30-14:30 |
[招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション |
○森 伸也・美里劫夏南(阪大)・岩田潤一・押山 淳(東大) |
(10) |
14:30-15:30 |
[招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 |
○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑(京都工繊大) |
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15:30-15:40 |
休憩 ( 10分 ) |
11月10日(金) 午後 相馬聡文 (神戸大学) 15:40 - 16:40 |
(11) |
15:40-16:40 |
[招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル |
○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之(ルネサス エレクトロニクス) |