12月3日(金) 午前 10:00 - 12:10 |
|
10:00-10:05 |
開会挨拶 ( 5分 ) |
(1) |
10:05-10:30 |
金属ナノ開口面発光レーザのプローブ特性の表面プラズモン増強 |
○橋爪滋郎・小山二三夫(東工大) |
(2) |
10:30-10:55 |
半導体フォトニック準結晶レーザの実証とレート方程式解析 |
○野崎謙悟・馬場俊彦(横浜国大) |
(3) |
10:55-11:20 |
InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性 |
○井手利英・馬場俊彦(横浜国大)・館林 潤・岩本 敏・中岡俊裕・荒川泰彦(東大) |
(4) |
11:20-11:45 |
光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発 |
○山本直克・赤羽浩一・牛頭信一郎・上田章雄・大谷直毅(NICT) |
(5) |
11:45-12:10 |
1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振 |
○山田みつき・阿南隆由・畠山 大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西 研一(NEC) |
|
12:10-13:20 |
昼食 ( 70分 ) |
12月3日(金) 午後 13:20 - 16:55 |
(6) |
13:20-13:50 |
[招待講演]ISLC2004報告 |
○吉國裕三(NTT) |
(7) |
13:50-14:30 |
[招待講演]三角孔を有する高出力単一横モード面発光レーザ |
○古川昭夫・佐々木 智・星 光成・松園淳史(ソニー)・森藤康輔・馬場俊彦(横浜国大) |
(8) |
14:30-14:55 |
波長可変光源の線幅特性の改善 |
○木本竜也・黒部立郎・村主賢悟・向原智一(古河電工) |
|
14:55-15:15 |
休憩 ( 20分 ) |
(9) |
15:15-15:40 |
MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 |
○館林 潤・羽鳥伸明・石田 充・江部広治(東大)・須藤久男・倉又朗人(富士通研)・菅原 充・荒川泰彦(東大) |
(10) |
15:40-16:05 |
中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー |
○大谷啓太・大野英男(東北大) |
(11) |
16:05-16:30 |
液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発 |
○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シング ビラハムパル・上田大助(松下電器)・曽我育生・前澤浩一・水谷 孝(名大) |
(12) |
16:30-16:55 |
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 |
○竹下達也・須郷 満・佐々木 徹・東盛裕一(NTT) |
|
16:55-17:00 |
閉会挨拶 ( 5分 ) |