1月30日(火) 午前
11:00 - 16:30 |
| (1) |
11:00-11:30 |
［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 |
○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） |
| (2) |
11:30-12:00 |
［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 |
○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） |
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12:00-13:30 |
昼食 （ 90分 ） |
| (3) |
13:30-14:00 |
［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 |
○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大） |
| (4) |
14:00-14:30 |
［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ |
○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） |
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14:30-15:00 |
休憩 （ 30分 ） |
| (5) |
15:00-15:30 |
［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET |
○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST） |
| (6) |
15:30-16:00 |
［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties |
○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） |
| (7) |
16:00-16:30 |
［招待講演］IEDM2017を振り返って
○高柳万里子（東芝） |
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