6月21日(金) 午前
11:00 - 16:20 |
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11:00-11:35 |
［招待講演］絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響 |
○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森 竜雄（愛工大） |
| (2) |
11:35-12:10 |
［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 |
○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大） |
| (3) |
12:10-12:45 |
［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 |
○森 伸也（阪大） |
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12:45-14:00 |
昼食 （ 75分 ） |
| (4) |
14:00-14:35 |
［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 |
○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩（名大） |
| (5) |
14:35-15:10 |
［招待講演］光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ |
○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川 学・小川新平（三菱電機） |
| (6) |
15:10-15:45 |
［招待講演］大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価 |
○吉武道子（OSX） |
| (7) |
15:45-16:20 |
［招待講演］有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構 ～ 伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証 ～ |
○吉田弘幸（千葉大） |