2月7日(木) 42講義室 10:00 - 16:55 |
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10:00-10:05 |
開会 ( 5分 ) |
(1) |
10:05-10:45 |
[招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術 |
○早川 崇・藤川 誠(東京エレクトロン)・野沢秀二・山口達也(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) |
(2) |
10:45-11:25 |
[招待講演]ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング |
○中杉哲郎(東芝メモリ) |
(3) |
11:25-12:05 |
[招待講演]誘導自己組織化による極微細三次元配線形成技術 |
福島誉史・○マリアッパン ムルゲサン・小柳光正(東北大) |
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12:05-13:10 |
昼食 ( 65分 ) |
(4) |
13:10-13:50 |
[招待講演]Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV) |
○Wei Feng・Naoya Watanabe・Haruo Shimamoto・Masahiro Aoyagi・Katsuya Kikuchi(AIST) |
(5) |
13:50-14:30 |
[招待講演]めっき銅薄膜配線の機械特性とEM耐性の結晶粒界品質依存性 |
罗 轶凡・名越優太郎・水野涼太・鈴木 研・○三浦英生(東北大) |
(6) |
14:30-15:10 |
[招待講演]p型GaN上に形成した単結晶Al配線およびそのGaN FETへの応用 |
○原田剛史・宇高孝二・神田裕介・大西克彦(パナソニック セミコンダクターソリューションズ)・松永啓一・引田正洋・上本康裕(パナソニック) |
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15:10-15:30 |
休憩 ( 20分 ) |
(7) |
15:30-16:10 |
[招待講演]微細CMOS向け新コンタクト材料:クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜 |
○岡田直也・内田紀行・小川真一・金山敏彦(産総研) |
(8) |
16:10-16:50 |
[招待講演]平滑なAuナノ薄膜を有する大気中にて常温接合可能な基板作製技術 |
○松前貴司・山本道貴・倉島優一・日暮栄治・高木秀樹(産総研) |
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16:50-16:55 |
閉会 ( 5分 ) |