3月15日(木) 午後
13:00 - 16:45 |
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13:00-13:05 |
開会の辞 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化 |
○松井裕一・黒土健三・外村 修・森川貴博・木下勝治・藤崎芳久・松崎 望・半澤 悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀 剛（ルネサステクノロジ） |
| (2) |
13:30-13:55 |
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 |
○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
| (3) |
13:55-14:20 |
SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ |
○須田良幸・長谷川宏巳（東京農工大） |
| (4) |
14:20-14:45 |
３次元型トランジスタ導入によるLSIの高密度化の検討 |
○渡辺重佳・岡本恵介・広島 祐・小泉恵介・大谷 真（湘南工科大） |
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14:45-15:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
15:00-15:25 |
［招待講演］(111)-Oriented SrRuO3/Pt Bottom Electrode for Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access |
○Niclus Menou（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Kuwabara・Hiroshi Funakubo（Tokyo Tech.） |
| (6) |
15:25-15:50 |
大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術 |
○山川晃司・尾崎 徹・金谷宏行・國島 巌・玖村芳典・下城義朗・首藤 晋・日高 修・山田有紀・山崎壮一・浜本毅司・白武慎一郎・高島大三郎・宮川 正（東芝）・大槻純人（東芝マイクロエレクトロニクス） |
| (7) |
15:50-16:15 |
マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相井堆積装置の開発と強誘電体Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7膜の形成 |
○高橋一郎・船岩 清・安曇啓太・山下 哲・白井恭雪・平山昌樹・寺元章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (8) |
16:15-16:40 |
微細ＭＯＳＦＥＴの各種リーク電流を考慮した２電源型システムＬＳＩの消費電力削減効果の検討 |
○渡辺重佳・花見 智・小林 学・高畠俊徳（湘南工科大） |
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16:40-16:45 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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