10月16日(木) 午後
14:00 - 17:20 |
| (1) |
14:00-14:50 |
［招待講演］IGBTの性能向上と現在の状況 |
○寺島知秀（三菱電機） |
| (2) |
14:50-15:20 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 |
○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） |
| (3) |
15:20-15:50 |
開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 |
○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） |
| |
15:50-16:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
16:00-16:30 |
Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（TokyoTech） |
| (5) |
16:30-17:20 |
［招待講演］イメージセンサーデバイスにおけるイオン注入 |
○川崎洋司・布施玄秀・佐野 信・大賀絵美・小池正純・渡邉一浩・杉谷道朗（SEN） |
| |
17:20-19:20 |
懇親会 （ 120分 ） |
10月17日(金) 午前
10:00 - 11:40 |
| (6) |
10:00-10:30 |
ラジカル窒化法により形成したSi3N4/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究 |
○諏訪智之・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| |
10:30-10:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
10:40-11:10 |
角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 |
○笹子知弥・山堀俊太・野平博司（東京都市大） |
| (8) |
11:10-11:40 |
MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長 |
○須田耕平・石原聖也・木嶋隆浩・澤本直美（明大）・町田英明・石川真人・須藤 弘（気相成長）・大下祥雄（豊田工大）・小椋厚志（明大） |
10月17日(金) 午後
13:00 - 15:50 |
| (9) |
13:00-13:50 |
［招待講演］電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析 |
○土屋敏章（島根大） |
| (10) |
13:50-14:20 |
MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究 |
○小原俊樹・寺本章伸・黒田理人・米澤彰浩・後藤哲也・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| |
14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (11) |
14:30-15:20 |
［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 |
○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） |
| (12) |
15:20-15:50 |
積層型ＮＡＮＤ ＭＲＡＭの設計法 |
○渡辺重佳（湘南工科大）・玉井翔人（大井電気） |
: 
fff
e
