10月17日(木) 午後 14:00 - 19:00 |
(1) |
14:00-14:50 |
[招待講演]SiCパワーデバイスの開発動向 |
○四戸 孝(東芝) |
(2) |
14:50-15:20 |
Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) |
○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
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15:20-15:40 |
休憩 ( 20分 ) |
(3) |
15:40-16:10 |
Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
(4) |
16:10-16:40 |
原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 |
○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘(東北大) |
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16:40-17:00 |
休憩 ( 20分 ) |
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17:00-19:00 |
懇親会 ( 120分 ) |
10月18日(金) 午前 09:30 - 14:30 |
(5) |
09:30-10:00 |
内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード |
○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利(東北大) |
(6) |
10:00-10:30 |
窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 |
○前田康貴・大見俊一郎(東工大)・後藤哲也・大見忠弘(東北大) |
(7) |
10:30-11:00 |
バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 |
○池野成裕・永田晃基(明大)・陰地 宏・廣沢一郎(高輝度光科学研究センター)・小椋厚志(明大) |
(8) |
11:00-11:30 |
古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ~ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ~ |
○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一(京大) |
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11:30-13:00 |
昼食 ( 90分 ) |
(9) |
13:00-13:30 |
積層型不揮発性メモリの設計法 |
○渡辺重佳(湘南工科大) |
(10) |
13:30-14:00 |
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 |
亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一(京大) |
(11) |
14:00-14:30 |
MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 |
○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘(東北大) |