2月7日(火) 午前
10:00 - 17:00 |
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10:00-10:05 |
開会 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:45 |
［招待講演］Cu配線以降の代替金属配線におけるメタル成膜起因の配線幅ばらつきとその抑制方法 |
○本山幸一（日本IBM） |
| (2) |
10:45-11:25 |
［招待講演］先端3D構造ロジック・メモリデバイスにおける原子層等方加工技術 |
○大竹浩人（日立ハイテクノロジーズ） |
| (3) |
11:25-12:05 |
［招待講演］2nm世代以降のロジックデバイスにむけた先端プロセス技術 |
○山本知成（東京エレクトロン） |
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12:05-13:20 |
昼食 （ 75分 ） |
| (4) |
13:20-14:00 |
［招待講演］BSIピクセルピッチハイブリッド接合および3層積層技術 |
○谷田一真・鈴木 繁・瀬尾俊紀・森永泰規・興梠隼人・手谷道成・浜田政一・江藤竜二・山下武志・加藤靖啓・佐藤直昭・清水但美・塙 哲郎・久保裕子・伊藤史隆・野口佳裕・中村成志・水越隆司・竹内雅彦・鈴木政勝・新添真人・宮永 績・池田 敦・松本 晋（パナソニック・タワージャズセミコンダクター） |
| (5) |
14:00-14:40 |
［招待講演］表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用 |
○須賀唯知（明星大） |
| (6) |
14:40-15:20 |
［招待講演］New Approach for Epoxy Mold Compound Slurry in Advanced Packaging Technology |
○Shogo Arata・Chiaki Noda・Yasuhiro Ichige・Satoyuki Nomura（Resonac）・Trianggono Widodo・Nagatoshi Tsunoda・Xavier Brun（Intel） |
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15:20-15:35 |
休憩 （ 15分 ） |
| (7) |
15:35-16:15 |
［招待講演］イオン液体中の電気化学反応を用いたIntelligent Connection Deviceにおける情報処理性能の温度依存性 |
○小林正和（長瀬産業）・島 久・内藤泰久・秋永広幸（産総研）・佐藤 暖・松尾拓真・米澤雅陽・木下健太郎（東京理科大）・伊藤敏幸（豊田理研）・野上敏材（鳥取大）・折井靖光（長瀬産業） |
| (8) |
16:15-16:55 |
［招待講演］次世代ウェアラブルデバイス：スキンエレクトロニクス |
○李 成薫・横田知之・染谷隆夫（東大） |
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16:55-17:00 |
閉会 （ 5分 ） |
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