11月10日(木) 午前
座長: 国清辰也 （ルネサスエレクトロニクス）
10:00 - 11:45 |
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10:00-10:05 |
オープニング トーク （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:55 |
［招待講演］電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ・センサの等価回路モデル |
○年吉 洋（東大） |
| (2) |
10:55-11:45 |
［招待講演］SISPAD 2011レビュー |
○林 洋一（ラピスセミコンダクタ） |
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11:45-13:00 |
昼食 （ 75分 ） |
11月10日(木) 午後
座長: 羽根正巳 （ルネサスエレクトロニクス）
13:00 - 15:30 |
| (3) |
13:00-13:50 |
［招待講演］3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ |
○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝（日立） |
| (4) |
13:50-14:40 |
［招待講演］デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 |
○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也（東芝） |
| (5) |
14:40-15:30 |
［招待講演］STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション |
○福田浩一・西澤正泰・多田哲也（産総研）・Leonid Bolotov（筑波大）・鈴木 腕・佐藤成生（富士通セミコンダクター）・有本 宏・金山敏彦（産総研） |
11月11日(金) 午前
座長: 廣木 彰 （京都工繊大）
10:00 - 11:40 |
| (6) |
10:00-10:25 |
モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション |
○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） |
| (7) |
10:25-10:50 |
第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 |
滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） |
| (8) |
10:50-11:15 |
摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション |
○程 賀（名大/JST）・宇野重康（立命館大/JST）・沼田達宏（名大/JST）・中里和郎（名大） |
| (9) |
11:15-11:40 |
非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～ |
○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） |
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11:40-13:00 |
昼食 （ 80分 ） |
11月11日(金) 午後
座長: 安斎久浩 （ソニー）
13:00 - 15:05 |
| (10) |
13:00-13:50 |
［招待講演］車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題 |
○石間伏 寿・植田賢志・長尾 勝・濱田公守（トヨタ自動車） |
| (11) |
13:50-14:15 |
BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討 |
○宮地幸祐・洪 慶麟・竹内 健（東大） |
| (12) |
14:15-14:40 |
MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 |
○勝俣 翠・松永翔雲・羽生貴弘（東北大） |
| (13) |
14:40-15:05 |
積層方式Chain構造PRAMの設計法 |
○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） |
| |
15:05-15:20 |
休憩 （ 15分 ） |
11月11日(金) 午後
座長: 青木伸俊 （東芝）
15:20 - 17:00 |
| (14) |
15:20-15:45 |
極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 |
○廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） |
| (15) |
15:45-16:10 |
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 |
○尹 鍾鐵・廣木 彰（京都工繊大） |
| (16) |
16:10-16:35 |
CMOS負荷を持つ大規模RLC回路網の効率的な解析 |
○丹治裕一（香川大） |
| (17) |
16:35-17:00 |
SGTとFinFETを用いた論理回路のパターン面積の比較検討 |
○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大） |
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