6月19日(金) 午前 09:30 - 17:30 |
(1) |
09:30-09:50 |
[依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 |
○谷田部然治・橋詰 保(北大) |
(2) |
09:50-10:10 |
[依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 |
○徳田 豊(愛知工大) |
(3) |
10:10-10:30 |
[依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 |
○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ(NICT)・倉又朗人・山腰茂伸(タムラ製作所)・東脇正高(NICT) |
|
10:30-10:50 |
休憩 ( 20分 ) |
(4) |
10:50-11:10 |
[依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 |
○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡(三菱電機) |
(5) |
11:10-11:30 |
[依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 |
○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹(富士電機) |
(6) |
11:30-11:50 |
[依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 |
○竹内和歌奈(名大)・山本建策(デンソー)・坂下満男(名大)・金村髙司(デンソー)・中塚 理・財満鎭明(名大) |
|
11:50-12:40 |
休憩 ( 50分 ) |
(7) |
12:40-13:00 |
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 |
○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大) |
(8) |
13:00-13:20 |
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 |
○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃(名大)・影島愽之(島根大)・遠藤哲郎(東北大)・白石賢二(名大) |
(9) |
13:20-13:40 |
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 |
○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一(名大) |
(10) |
13:40-14:00 |
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 |
○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛(九大) |
|
14:00-14:15 |
休憩 ( 15分 ) |
(11) |
14:15-14:35 |
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 |
○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司(阪大) |
(12) |
14:35-14:55 |
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 |
○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明(名大) |
(13) |
14:55-15:15 |
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 |
○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明(名大) |
(14) |
15:15-15:35 |
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 |
○栗島一徳(明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕(物質・材料研究機構)・小椋厚志(明大) |
|
15:35-15:50 |
休憩 ( 15分 ) |
(15) |
15:50-16:10 |
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process |
○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka(NAIST) |
(16) |
16:10-16:30 |
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 |
吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗(阪大) |
(17) |
16:30-16:50 |
[依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 |
○野内 亮(阪府大) |
(18) |
16:50-17:10 |
[依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ |
○中払 周(物質・材料研究機構)・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎(産総研)・黎 松林・山本真人・林 彦甫(物質・材料研究機構)・上野啓司(埼玉大)・塚越一仁(物質・材料研究機構)・佐藤信太郎・横山直樹(産総研) |
(19) |
17:10-17:30 |
[依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 |
○森 貴洋(産総研)・二之宮成樹(横浜国大)・内田紀行・久保利隆(産総研)・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士(物質・材料研究機構)・田中正俊(横浜国大)・安藤 淳(産総研) |