12月16日(金) 午前
10:00 - 17:20 |
| (1) |
10:00-10:20 |
ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果 |
○紺谷拓哉・谷口真央・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (2) |
10:20-10:40 |
平面電極を用いた分散型無機ELパネルの基本特性 |
○野中俊宏（龍谷大）・浦岡行治（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・山本伸一（龍谷大） |
| (3) |
10:40-11:00 |
SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 |
○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） |
| (4) |
11:00-11:20 |
接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 |
○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (5) |
11:20-11:40 |
放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価 |
○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治（阪電通大） |
| (6) |
11:40-12:00 |
Ti電極上コバルトナノ微粒子の位置選択性制御 |
○板倉聡之（龍谷大）・山田啓文（京大）・浦岡行治（奈良先端大）・山下一郎（松下電器）・山本伸一（龍谷大） |
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12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
| (7) |
13:00-13:30 |
［招待講演］Siスパッタエピタキシーによる単結晶Si太陽電池の作製 |
○葉 文昌（島根大）・方 ユー斌・黄 祥恩（台湾科技大） |
| (8) |
13:30-14:00 |
［招待講演］酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響 |
○古田 守・島川伸一（高知工科大） |
| (9) |
14:00-14:20 |
ゲル－ナノインプリントプロセスによるZnO－2次元フォトニック結晶の作製 |
○張 敏・荒木慎司・呂 莉・堀田昌宏・西田貴司・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (10) |
14:20-14:40 |
Poly-Si TFTによる温度センサ |
○田矢 純・椋田朋訓・中島章弘・木村 睦（龍谷大） |
| (11) |
14:40-15:00 |
poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング |
○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大） |
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15:00-15:20 |
休憩 （ 20分 ） |
| (12) |
15:20-15:40 |
レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 ～ 2次元および3次元シミュレータの開発 ～ |
○木村 睦・松木邦晃・斎藤龍輔・塚本周史（龍谷大） |
| (13) |
15:40-16:00 |
SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 |
○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治（阪電通大） |
| (14) |
16:00-16:20 |
軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 |
○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信（九大） |
| (15) |
16:20-16:40 |
長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 |
○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (16) |
16:40-17:00 |
DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 |
○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・横山 新（広島大） |
| (17) |
17:00-17:20 |
抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 |
○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） |
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