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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 葛原 正明 (福井大) 副委員長 橋詰 保 (北大) 幹事 村田 浩一 (NTT) 幹事補佐 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 上村 喜一 (信州大) 副委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 幹事 清水 英彦 (新潟大)， 大庭 直樹 (NTT) 幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大)， 今井 欽之 (NTT) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー) 幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大) 日時 2009年 5月14日(木) 13：30～17：05 2009年 5月15日(金) 09：00～14：40 会場 豊橋技術科学大学 サテライトオフィス（テクノスU）（豊橋市松葉町２－１０．豊橋駅より徒歩約５分．https://www.ieice.org/~ed/jpn/access%20tecknos-U.pdf．豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 若原昭浩） 議題 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） 5月14日(木) 午後 （13：30～17：05） (1) 13:30 - 13:55 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大） (2) 13:55 - 14:20 青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価 ○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大） (3) 14:20 - 14:45 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果 ○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大） (4) 14:45 - 15:10 Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 15:25 - 15:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性 ○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境 哲也・星 陽一（東京工芸大） (6) 15:50 - 16:15 A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） (7) 16:15 - 16:40 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ○中島佑基・市村正也（名工大） (8) 16:40 - 17:05 Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates ○Akihiko Hiroe・Tetsuya Goto・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） 5月15日(金) 午前 （09：00～11：45） (9) 09:00 - 09:25 Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method ○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） (10) 09:25 - 09:50 Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大） (11) 09:50 - 10:15 Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP ○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (12) 10:30 - 10:55 MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大） (13) 10:55 - 11:20 p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） (14) 11:20 - 11:45 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） 5月15日(金) 午後 （13：00～14：40） (15) 13:00 - 13:25 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） (16) 13:25 - 13:50 MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政（三重大） (17) 13:50 - 14:15 AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） (18) 14:15 - 14:40 GaNの電気化学酸化による表面制御 ○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ◎5月14日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月11日(木)～12日(金) 東京工業大学 [4月15日(水)] テーマ：半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 6月24日(水)～26日(金) 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） [4月10日(金)] テーマ：第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 7月30日(木)～31日(金) 大阪大学（銀杏会館） [5月23日(土)] テーマ：センサーデバイス，MEMS，一般 【問合先】 村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-mail：     aecl   原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :   o      津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月19日(金) 機械振興会館 [4月21日(火)] テーマ：材料デバイスサマーミーティング 8月10日(月)～11日(火) 弘前大学 [6月19日(金)] テーマ：電子部品・材料，一般 8月20日(木)～21日(金) 東北大学 [6月19日(金)] テーマ：光部品・電子デバイス実装技術、一般 【問合先】 清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-mail:   engi -u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-mail:  y ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月19日(金) 東京大学（生産研An棟） [4月14日(火)] テーマ：ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） 6月24日(水)～26日(金) 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） [4月10日(金)] テーマ：第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 7月16日(木)～17日(金) 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 [5月13日(水)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104 ge   baLast modified: 2009-09-07 15:48:15 |
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