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★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長 高野 泰 (静岡大) 副委員長 野毛 悟 (沼津高専)
幹事 圓佛 晃次 (NTT)， 佐藤 知正 (神奈川大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT)， 岩田 展幸 (日大)
日時 2013年10月24日(木) 13：30～17：45
2013年10月25日(金) 09：30～12：15
会場 新潟大学 駅南キャンパス 「ときめいと」（〒950-0911 新潟県新潟市中央区笹口1丁目1番地 プラーカ１・２階．新潟駅南口から徒歩3分．http://www1.niigata-u.ac.jp/tokimate/access.html）
議題 薄膜プロセス・材料、一般
10月24日(木) 午後 （13：30～17：45）
(1) 13:30 - 13:55
電磁誘起透明化現象を模擬するメタマテリアルにおける電磁波の群速度制御
○玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大）・中西俊博・北野正雄（京大）
(2) 13:55 - 14:20
自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響
○西方 翼・小瀧侑央・加藤孝弘（長岡技科大）・石田弘樹（富山高専）・末松久幸・玉山泰宏（長岡技科大）・川上 彰（NICT）・安井寛治（長岡技科大）
(3) 14:20 - 14:45
パルスレーザー堆積法によるBi系フェライトを用いた人工超格子の作製
○岩田展幸・渡部雄太・及川貴大・稲葉隆哲・大島佳祐・山本 寛（日大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(4) 15:00 - 15:25
溶液成長法により作製したPbS薄膜の膜質の成長時間依存性
○摩須大輝・高野 泰・石田明広（静岡大）
(5) 15:25 - 15:50
溶液成長法を用いたSnS膜の作製
○山中雄貴・高野 泰（静岡大）
(6) 15:50 - 16:15
アルコールを原料とした熱CVD法によるCNTの作製
○久保直希・山田渓介・山上朋彦・上村喜一（信州大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(7) 16:30 - 16:55
金属元素をドープした石英ガラスの紫外光励起よる発光特性の検討
○野毛 悟（沼津高専）
(8) 16:55 - 17:20
低温プロセスによるSiNx膜の特性評価
○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大）
(9) 17:20 - 17:45
Cu表面保護膜としてのAl-Nb合金薄膜の酸化特性
○野矢 厚・武山真弓（北見工大）
10月25日(金) 午前 （09：30～12：15）
(10) 09:30 - 09:55
プラズマ励起原子層堆積法による室温酸化チタン成膜
○鹿又健作・大場尚志・籾山克章・鈴木貴彦・ボシール アハンマド・久保田 繁・平原和弘・廣瀬文彦（山形大）
(11) 09:55 - 10:20
FeおよびFeSi積層膜からの固相反応法によるSi上鉄シリサイド薄膜形成
○籾山克章・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大）
(12) 10:20 - 10:45
Synthesis of Mesoporous Iron Oxide Nano-/Micro-particles and Their Characterization
○Bashir Ahmmad・Kensaku Kanomata・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ.）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(13) 11:00 - 11:25
SiCコーティングフィラメントを用いたHWCVD法によるSiC薄膜の低温形成と構造評価
○阿部克也・小澤勇斗・山上朋彦（信州大）
(14) 11:25 - 11:50
絶縁膜中に分散させたCNT冷陰極の開発
○浅田裕司・山上朋彦・上村喜一（信州大）
(15) 11:50 - 12:15
高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製
○石井琢馬・佐藤祐二・渡邊貴晴・石井 清・佐久間洋志（宇都宮大）
一般講演：発表 18 分 ＋ 質疑応答 7 分
☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
11月27日(水)～29日(金) 鹿児島県文化センター [9月17日(火)] テーマ：デザインガイア2013 -VLSI設計の新しい大地-
11月28日(木)～29日(金) 大阪大学 吹田キャンパス [9月18日(水)] テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般
Last modified: 2013-08-29 18:17:16
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