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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大) 副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)
日時 2024年 1月31日(水) 12：30～16：20
会場 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス（〒105-0002 東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル13階1301室．東京メトロ日比谷線 虎ノ門ヒルズ駅（A1出口）徒歩2分 東京メトロ銀座線 虎ノ門駅（1番出口）徒歩8分 都営地下鉄三田線 御成門駅（A5出口）徒歩8分．https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm）
議題 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集）
1月31日(水) 午後 （12：30～16：20）
座長: 未定
−−− 主催分科会幹事よりアナウンス （ 5分 ） −−−
(1) 12:35 - 13:05
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）
(2) 13:05 - 13:35
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大）
(3) 13:35 - 14:05
［招待講演］3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
○田上政由（キオクシア）
(4) 14:05 - 14:35
［招待講演］CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志（キオクシア）・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水 悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介（ウエスタンデジタル）・山脇秀之・中嶋一明・佐藤 充（キオクシア）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 14:50 - 15:20
［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄（キオクシア）
(6) 15:20 - 15:50
［招待講演］３次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ～ IEDM2023報告内容 ～
○奥野 潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野 凌（ソニーセミコン）・ルーベン アルカーラ（ナムラボ）・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル（フラウンホーファー）・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー（ナムラボ）・梅林 拓（ソニーセミコン）
(7) 15:50 - 16:20
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）
招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分
◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催
☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
2月21日(水) 東京大学 本郷 工4号館 [12月26日(火)] テーマ：配線・実装時術と関連材料技術
4月20日(土) 奄美市アマホームプラザ [2月18日(日)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般
【問合先】
1月研究会担当：小林伸彰 (日大理工）
Last modified: 2023-11-27 18:28:26
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