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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)， 諸岡 哲 (東芝メモリ) 日時 2017年11月 9日(木) 10：00～16：40 2017年11月10日(金) 10：00～16：40 会場 機械振興会館 6F 6-66会議室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 11月9日(木) 午前 （10：00～12：00） 座長: 安斎久浩 （ソニーセミコンダクタソリューションズ） (1) 10:00 - 11:00 ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） (2) 11:00 - 12:00 ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1） ○廣木 彰（京都工繊大） −−− 昼食 （ 65分 ） −−− 11月9日(木) 午後 （13：05～15：30） 座長: 相馬聡文 （神戸大学） (3) 13:05 - 13:30 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） (4) 13:30 - 14:30 ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大） (5) 14:30 - 15:30 ［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月9日(木) 午後 （15：40～16：40） 座長: 國清辰也 （ルネサス エレクトロ二クス） (6) 15:40 - 16:40 ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大） 11月10日(金) （10：00～12：00） 座長: 高篠裕行 （ソニーセミコンダクタ） (7) 10:00 - 11:00 ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） ○来栖貴史（東芝メモリ） (8) 11:00 - 12:00 ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～ ○佐野伸行（筑波大） −−− 昼食 （ 90分 ） −−− 11月10日(金) 午後 （13：30～15：30） 座長: 野田泰史 （パナソニック） (9) 13:30 - 14:30 ［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション ○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大） (10) 14:30 - 15:30 ［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月10日(金) 午後 相馬聡文 （神戸大学） （15：40～16：40） (11) 15:40 - 16:40 ［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 55 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月22日(金) 京都大学 [10月13日(金)] テーマ：Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 2018年1月30日(火) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 2018年2月8日(木) 東京大学/本郷 [11月20日(月)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2018年2月28日(水) (開催日変更) 北海道大学百年記念会館 [12月20日(水)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2018-02-01 21:23:47 |
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