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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
専門委員長 東盛 裕一  副委員長 栖原 敏明
幹事 吉村 了行, 八田 竜夫
幹事補佐 田所 貴志

★電子デバイス研究会(ED)
専門委員長 和保 孝夫  副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎

★電子部品・材料研究会(CPM)
専門委員長 石井 清  副委員長 上村 喜一
幹事 北本 仁孝, 松浦 徹
幹事補佐 清水 英彦, 豊田 誠治

日時 2005年10月13日(木) 09:30~18:00
   2005年10月14日(金) 09:00~16:30
   2005年10月15日(土) 09:00~12:00

会場 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ローム記念館5階大会議室(〒525-8577 滋賀県草津市野路東1丁目1-1.JR南草津駅から近江鉄道バスで「立命館大学行き」または「立命館大学経由飛島グリーンヒル行き」にて約8分「立命館大学」下車.http://www.ritsumei.ac.jp/mng/gl/koho/annai/profile/access/.理工学部 電子光情報工学科 名西やすし.077-566-1111)

議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 (窒化物半導体国際ワークショップ)

10月13日(木) 午前 特別セッションテーマ ”InNはどこまでよくなったか?” (09:30~12:20)

(1) 09:30 - 09:50
凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化
○武藤大祐・直井弘之・荒木 努・北川幸雄・黒内正仁・羅 ヒョンソク・名西やすし(立命館大)

(2) 09:50 - 10:10
常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性
○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお(福井大)

(3) 10:10 - 10:30
ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ~ 無極性InNの検討 ~
○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木 努・直井弘之・名西やすし(立命館大)

(4) 10:30 - 10:50
原子状水素照射によるInNの極性評価
○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木 彰・荒木 努・名西やすし(立命館大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(5) 11:00 - 11:20
RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価
○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳(上智大)

(6) 11:20 - 11:40
RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価
○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木 努・名西やすし(立命館大)

(7) 11:40 - 12:00
AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価
○寺嶋 亘・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦(千葉大)

(8) 12:00 - 12:20
CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果
○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお(福井大)

10月13日(木) 午後 特別セッションテーマ "GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?" (13:30~18:00)

(9) 13:30 - 13:50
C帯170W出力GaN-HEMTの開発
○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木 隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男(東芝)

(10) 13:50 - 14:10
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs
○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama(NTT)

(11) 14:10 - 14:30
高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs
○熊倉一英・牧本俊樹(NTT)

(12) 14:30 - 14:50
リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT
○中田 健・川崎 健・八重樫誠司(ユーディナデバイス)

(13) 14:50 - 15:10
GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ
○中澤敏志・上田哲三・井上 薫・田中 毅(松下電器)・石川博康・江川孝志(名工大)

(14) 15:10 - 15:30
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
○片山義章・石川博康・江川孝志(名工大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(15) 15:40 - 16:00
AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程
○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保(北大)

(16) 16:00 - 16:20
GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究
○檜木啓宏(立命館大)・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎(新機能素子研究開発協会)・荒木 努(立命館大)・鈴木 彰(新機能素子研究開発協会/立命館大)・名西やすし(立命館大)

(17) 16:20 - 16:40
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク
○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之(新機能素子研究開発協会)・荒木 努(立命館大)・鈴木 彰(新機能素子研究開発協会/立命館大)・名西やすし(立命館大)

(18) 16:40 - 17:00
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響
○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔(北海道工大)・金 聖祐・鈴木敏正(日本工大)

(19) 17:00 - 17:20
n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性
○重川直輝・西村一巳・横山春喜(NTT)・宝川幸司(神奈川工科大)

(20) 17:20 - 17:40
RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成
○及川 武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰 保(北大)

(21) 17:40 - 18:00
薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET
○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明(NICT)

10月14日(金) 午前 結晶成長・特性評価 (09:00~14:00)

(22) 09:00 - 09:20
四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション
○木村健司・松岡隆志(東北大)

(23) 09:20 - 09:40
PLD法により低温成長したⅢ族窒化物の特性
○藤岡 洋(東大/神奈川科学技術アカデミー)・太田実雄・井上 茂・小林 篤・岡本浩一郎(東大)・金 太源・松木伸行(神奈川科学技術アカデミー)

(24) 09:40 - 10:00
化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積
○小林俊章・平山航史・江川慎一・秋山誠和子・杉本浩一・馬場太一・本田 徹・川西英雄(工学院大)

(25) 10:00 - 10:20
GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討
○馬場太一・秋山誠和子・江川慎一・小林俊章・蓮沼範行・本田 徹・川西英雄(工学院大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(26) 10:30 - 10:50
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価
○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政(三重大)・柴田智彦・田中光浩(日本ガイシ)・原口雅也・桑野範之(九大)

(27) 10:50 - 11:10
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響
○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵(三重大)・柴田智彦・田中光浩(日本ガイシ)・三宅秀人・平松和政(三重大)

(28) 11:10 - 11:30
昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長
○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇(名城大)・下野健二・野呂匡志・高木 俊(イビデン)・古庄智明(シクスオン)

(29) 11:30 - 11:50
高品質SiCウェーハの開発
○古庄智明・小林良平・佐々木 信・林 利彦・木下博之・塩見 弘(シクスオン)

−−− 昼食 ( 70分 ) −−−

(30) 13:00 - 13:20
ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ
○古川拓也・木村 健・佐藤威友・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保(北大)

(31) 13:20 - 13:40
AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ
○松尾一心・木村 健・長谷川英機・橋詰 保(北大)

(32) 13:40 - 14:00
窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成
○藤井克司(JST)・小野雅人・伊藤高志・岩城安浩(東京理科大)・大川和宏(東京理科大/JST)

10月14日(金) 午後 特別セッションテーマ "GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?" (14:00~16:30)

(33) 14:00 - 14:20
高効率・高出力GaN系半導体レーザ
○蔵本恭介・大野彰仁(三菱電機)・山田智雄・岡川広明(三菱電線)・川津善平・川崎和重・冨田信之・塩沢勝臣・金本恭三・渡辺 寛・竹見政義・八木哲哉(三菱電機)・村田博昭(三菱電線)・島 顕洋(三菱電機)

(34) 14:20 - 14:40
光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ
○狩野隆司・野村康彦・畑 雅幸・井上大二朗・庄野昌幸(三洋電機)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(35) 14:50 - 15:10
RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価
○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳(上智大)

(36) 15:10 - 15:30
330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測
○平山秀樹・高野隆好(理研)・大橋智昭(理研/埼玉大)・藤川紗千恵(理研)・鎌田憲彦(埼玉大)・近藤行廣(理研)

(37) 15:30 - 15:50
InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係
○金田昭男・船戸 充(京大)・成川幸男・向井孝志(日亜化学)・川上養一(京大)

(38) 15:50 - 16:10
InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光
○船戸 充・小谷晃央・近藤 剛・西塚幸司(京大)・成川幸男・向井孝志(日亜化学)・川上養一(京大)

(39) 16:10 - 16:30
2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価
○池永和正・生方映徳・山口 晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本 功(大陽日酸)

10月15日(土) 午前 窒化物半導体に関するディスカッションセッション (09:00~12:00)

(40) 09:00 - 10:00
1.GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばせるのか?
ディスカッションリーダー:塩島 謙次
内容:GaN電子デバイスの現状と課題のピックアップ
エピとデバイス特性の相関

(41) 10:00 - 11:00
2.内部量子効率100%を目指して
ディスカッションリーダー:川上 養一
検討内容:極性とデバイス性能、ドーピング効率、
転位と発光効率、組成不均一性、点欠陥と発光。

(42) 11:00 - 12:00
3.ナイトライド基板の将来
ディスカッションリーダー:碓井 彰
内容:気相成長法 vs.液相成長法 vs.フラックス法 vs.アンモノサーマル法
生産能力、コスト

一般講演(20):発表 15 分 + 質疑応答 5 分

◆窒化物半導体国際ワークショップ共催

◎13日研究会終了後,下記のように懇親会を予定していますので是非御参加ください.
時間:18:30~20:00
場所:立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ユニオンスクエア2階 レストラン ラ・ポーズ
会費:3000円


☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

11月3日(木)~4日(金) 九州工業大学 [8月18日(木)] テーマ:超高速伝送・変復調技術、超高速光・電子デバイス技術、広帯域WDMデバイス技術、一般
12月9日(金) 機械振興会館 [9月15日(木)] テーマ:半導体レーザ関連技術,及び一般
2006年1月31日(火)~2006年2月2日(木) 神戸大学 [11月11日(金)] テーマ:フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般

【問合先】
吉村了行 (NTT)
TEL 046-240-3249, FAX 046-240-4345
E-mail: ryaecl
八田竜夫 (三菱電機)
TEL 072-780-2653, FAX 072-780-2663
E-mail: tlsilco

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/

☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

11月17日(木) 佐賀大学 [9月16日(金)] テーマ:ミリ波技術/一般
11月25日(金) 中央電気倶楽部 [9月16日(金)] テーマ:半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性,信頼性一般
12月22日(木) 機械振興会館 [10月24日(月)] テーマ:電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
2006年1月18日(水)~20日(金) 機械振興会館 [11月17日(木)] テーマ:化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス
2006年1月26日(木)~27日(金) 北海道大学 百年記念会館 大会議室 [11月16日(水)] テーマ:量子効果デバイス及び関連技術

【問合先】
田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-mail: pac
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-mail: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-mail: crl

☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

10月21日(金) 機械振興会館 [8月19日(金)] テーマ:光記録技術、一般
11月11日(金)~12日(土) 福井大学 [9月16日(金)] テーマ:薄膜プロセス・材料、一般
2006年1月20日(金) 機械振興会館 [11月10日(木)] テーマ:電池技術関連、一般

【問合先】
北本仁孝(東京工業大学)
TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433
E-mail: iem

松浦徹(ATR)
TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178
E-mail: hmatr


Last modified: 2005-10-07 21:40:06


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