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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 西村 公佐 (KDDI総合研究所) 副委員長 山口 敦史 (金沢工大) 幹事 田中 信介 (富士通)， 西島 喜明 (横浜国大) 幹事補佐 望月 敬太 (三菱電機) ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 葛西 誠也 (北大) 副委員長 新井 学 (名大) 幹事 大石 敏之 (佐賀大)， 山本 佳嗣 (三菱電機) 幹事補佐 小山 政俊 (阪工大)， 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 中澤 日出樹 (弘前大) 副委員長 寺迫 智昭 (愛媛大) 幹事 番場 教子 (信州大)， 武山 真弓 (北見工大) 幹事補佐 木村 康男 (東京工科大)， 廣瀬 文彦 (山形大)， 中村 雄一 (豊橋技科大) 日時 2023年11月30日(木) 13：00～17：35 2023年12月 1日(金) 09：30～17：10 会場 アクトシティ浜松 研修交流センター 51研修交流室（〒430-7790 静岡県浜松市中区板屋町111-1．JR浜松駅から徒歩10分．https://www.actcity.jp/visitor/seminar/） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 −−− 開会あいさつ （ 5分 ） −−− 11月30日(木) 午後 EDセッション 1 （13：05～14：45） 座長: 山本 佳嗣（三菱電機） (1) 13:05 - 13:30 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） (2) 13:30 - 13:55 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） (3) 13:55 - 14:20 ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大） (4) 14:20 - 14:45 ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月30日(木) 午後 EDセッション2 （14：55～16：10） 座長: 久保 俊晴（名工大） (5) 14:55 - 15:20 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） (6) 15:20 - 15:45 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大） (7) 15:45 - 16:10 MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長 ○渡邉浩崇・新田州吾・藤元直樹・川崎晟也・隈部岳瑠・大西一生・本田善央・天野 浩（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月30日(木) 午後 LQEセッション1 （16：20～17：35） 座長: 山口 敦史（金沢工大） (8) 16:20 - 16:45 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） (9) 16:45 - 17:10 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） (10) 17:10 - 17:35 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） 12月1日(金) 午前 LQEセッション2 （09：30～11：10） 座長: 藤田 和上（浜松ホトニクス） (11) 09:30 - 09:55 ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善 ○土佐宏樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大） (12) 09:55 - 10:20 ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 ○神野翔綺・山口敦史・森 恵人（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・冨谷茂隆・工藤喜弘（ソニーセミコンダクタソリューションズ） (13) 10:20 - 10:45 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ） (14) 10:45 - 11:10 BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価 ○中野貴之・高橋祐吏・太田悠斗・清水勇希・井上 翼・青木 徹（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 12月1日(金) 午前 CPMセッション （11：20～12：35） 座長: 寺迫 智昭（愛媛大学） (15) 11:20 - 11:45 可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成 ○森 耀平・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大） (16) 11:45 - 12:10 熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性 廣田 楓・中堀将人・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大） (17) 12:10 - 12:35 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構 ○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大） −−− 休憩 （ 85分 ） −−− 12月1日(金) 午後 LQEセッション3 （14：00～15：40） 座長: 平山 秀樹（理研） (18) 14:00 - 14:25 その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 ○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大） (19) 14:25 - 14:50 ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製 ○渡邊琉加・小林憲汰・柳川光樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大） (20) 14:50 - 15:15 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事） (21) 15:15 - 15:40 III族窒化物半導体光・電子デバイスの サーマルマネージメントへ向けて ○石谷善博・地﨑匡哉・ティーアイ カインシュウェ・林 伯金・浅地竜也・馬 蓓（千葉大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 12月1日(金) 午後 LQEセッション4 （15：50～17：10） 座長: 三好 実人（名古屋工大） (22) 15:50 - 16:15 MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール ○大石悠翔・肖 世玉・上杉謙次郎・秋山 亨・玉野智弘・三宅秀人（三重大） (23) 16:15 - 16:40 ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 ○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） (24) 16:40 - 17:05 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 ○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司 光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫 恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研） −−− 閉会あいさつ （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆LQE研究会 【問合先】 田中 信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-mail:  n-        西島 喜明(横浜国立大学） TEL 045-339-4107 E-mail:   y  ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月7日(木)～8日(金) ウインクあいち（愛知県産業労働センター） [10月14日(土)] テーマ：電子・イオンビーム応用 12月21日(木)～22日(金) (予定) 東北大・通研 [10月23日(月)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2024年1月25日(木)～26日(金) 機械振興会館 [11月17日(金)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 【問合先】 大石 敏之 (佐賀大学） TEL : 0952-28-8645 E-mail :oi 104cc   -u堤 卓也(NTT) TEL: 046-240-3180 E-mail:       ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月8日(金)～9日(土) (予定) 機械振興会館 [10月16日(月)] テーマ：エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般 2024年2月29日(木) 山形大学工学部 [12月15日(金)] テーマ：若手ミーティング （電子・部品・材料・一般） 【問合先】 寺迫 智昭 (愛媛大学） TEL: 089-927-9789 E-mail:      a mze  -uLast modified: 2023-11-07 08:49:49 |
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