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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大見 俊一郎 (東工大) 副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス) 幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック) 幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル) 日時 2023年10月13日(金) 13：00～17：20 会場 東北大学 未来科学技術共同研究センター 未来情報産業研究館5F大会議室（〒980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０．地下鉄東西線青葉山駅から徒歩2分） 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月13日(金) 午後 SDM 10月研究会「プロセス科学と新プロセス技術」 （13：00～17：20） (1) 13:00 - 13:40 ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 ○伊藤俊樹（キヤノン） (2) 13:40 - 14:20 ［若手招待講演］Investigation on Thermoelectric Properties of Flexible Thermoelectric Power Generators from Conductive Fabrics ○Hudzaifah Al Hijri・Daiki Kansaku・Hiroya Ikeda（Shizuoka Univ.） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (3) 14:30 - 15:10 ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大） (4) 15:10 - 15:50 ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 16:00 - 16:20 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性 ○西田 脩・片山慶太・中村大輔（九大）・後藤哲也（東北大）・池上 浩（高知工科大） (6) 16:20 - 16:40 サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専） (7) 16:40 - 17:00 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） (8) 17:00 - 17:20 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月9日(木)～10日(金) 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 [9月4日(月)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 2024年1月31日(水) 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス テーマ：先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） 【問合先】 〒980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学 未来科学技術共同研究センター 特任准教授（客員） 諏訪 智之 TEL: 022－795-3977 FAX: 022－795-3986 Mail:        b6    Last modified: 2023-08-28 17:21:23 |
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