| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催プログラム |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
|
★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 浅野 種正 (九大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通) 幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー) 幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大) 日時 2007年12月14日(金) 10：00～18：00 会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科（奈良県生駒市高山町8916-5．地下鉄中央線「学研北生駒」駅下車バス8分 または近鉄京都線高の原駅下車バス20分．http://mswebs.naist.jp/access/index.html．奈良先端科学技術大学院大学 冬木隆） 議題 シリコン関連材料の作製と評価 12月14日(金) 午前 （10：00～18：00） (1) 10:00 - 10:20 パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 ○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） (2) 10:20 - 10:40 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成 ○鮫島俊之（東京農工大）・佐野直樹（ハイテックシステムズ）・内藤勝男（日新イオン機器） (3) 10:40 - 11:00 レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果 高梨泰幸・○松尾直人・上拾石和也・部家 彰・天野 壮・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大） (4) 11:00 - 11:20 Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 ○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大） (5) 11:20 - 11:40 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性 ○鈴木亮太・須田 淳・木本恒暢（京大） (6) 11:40 - 12:00 極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性 ○梅田朋季・矢野裕司・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (7) 13:00 - 13:30 Effective Activation of Phosphorus atom in Si film using ELA ○Takashi Noguchi（Univ. of Ryukyus） (8) 13:30 - 13:50 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 ○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大） (9) 13:50 - 14:10 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 ○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研） (10) 14:10 - 14:30 Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） (11) 14:30 - 14:50 Xe＋プレアモルファス化注入を用いたGe n+/p接合形成 ○福永哲也・芝原健太郎（広島大） (12) 14:50 - 15:10 共役反転格子フォトニック結晶での導波解析 ○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大） (13) 15:10 - 15:30 シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果 ○岸山友紀・高橋 優・大鐘章義・Athapol Kitiyanan・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (14) 15:50 - 16:20 ［招待講演］シリコンナノ結晶の物性と応用 ○藤井 稔（神戸大） (15) 16:20 - 16:40 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード ○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） (16) 16:40 - 17:00 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） (17) 17:00 - 17:20 Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク ○小野寺 亮・笠川知洋・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大）・原 弘幸・井上 聡（セイコーエプソン） (18) 17:20 - 17:40 アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性 ○山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） (19) 17:40 - 18:00 磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討 ○大井秀夫・木村 睦（龍谷大）・鈴木洋一・石川省吾・梅澤浩光（FDK）・高木宏幸・金 周映・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大） ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2008年1月24日(木) 機械振興会館 [未定] テーマ：IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術） 2008年1月30日(水)～31日(木) 北海道大学 [11月9日(金)] テーマ：機能ナノデバイスとおよび関連技術 2008年2月8日(金) 機械振興会館 [未定] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2008年3月14日(金) 機械振興会館 [1月28日(月)] テーマ：不揮発メモリと関連技術および一般 【問合先】 西岡泰城（日本大学理工学部 精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-mail:     e   t n-u ,a  cmsk  Last modified: 2007-10-30 12:12:22 |
ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
[SDM研究会のスケジュールに戻る] /
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]