| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催プログラム |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
|
★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大見 俊一郎 (東工大) 副委員長 宇佐美 達矢 (日本エーエスエム) 幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック) 幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル) 日時 2023年 6月26日(月) 10：00～15：30 会場 広島大学 ナノデバイス研究所（〒739-8527 広島県東広島市鏡山1-4-2．https://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/．細井 卓治 （関西学院大学）） 議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月26日(月) 午前 （10：00～15：30） −−− 挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式 （ 10分 ） −−− (1) 10:10 - 10:50 ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） (2) 10:50 - 11:30 ［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） (3) 11:30 - 11:50 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大） (4) 11:50 - 12:10 FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 ○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大） (5) 12:10 - 12:30 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） −−− 昼休憩 （ 60分 ） −−− (6) 13:30 - 14:10 ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大） (7) 14:10 - 14:50 ［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証 ○冨岡克広・勝見 悠・本久順一（北大） (8) 14:50 - 15:30 ［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～ ○手面 学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア） 研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 記念講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月1日(火)～3日(木) 北海道大学 情報教育館 3F [6月13日(火)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 細井 卓治 （関西学院大学）   i     k n i Last modified: 2023-04-26 20:21:29 |
ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
[SDM研究会のスケジュールに戻る] /
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]