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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　浅野種正　　副委員長　杉井寿博
幹事　大野守史，川中繁
幹事補佐　松井裕一

日時　2007年 3月15日(木)　13：00～16：45

会場機械振興会館地下3F 2号室(B3-2)（〒105-0011東京都港区芝公園3-5-8．http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm）

議題不揮発性メモリおよび関連プロセス一般

3月15日(木) 午後（13：00～16：45）

−−−　開会の辞　（ 5分）　−−−

(1) 13:05 - 13:30
五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
○松井裕一・黒土健三・外村　修・森川貴博・木下勝治・藤崎芳久・松崎　望・半澤　悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀　剛（ルネサステクノロジ）

(2) 13:30 - 13:55
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研）

(3) 13:55 - 14:20
SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ
○須田良幸・長谷川宏巳（東京農工大）

(4) 14:20 - 14:45
３次元型トランジスタ導入によるLSIの高密度化の検討
○渡辺重佳・岡本恵介・広島　祐・小泉恵介・大谷　真（湘南工科大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(5) 15:00 - 15:25
［招待講演］(111)-Oriented SrRuO3/Pt Bottom Electrode for Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access
○Niclus Menou（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Kuwabara・Hiroshi Funakubo（Tokyo Tech.）

(6) 15:25 - 15:50
大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術
○山川晃司・尾崎　徹・金谷宏行・國島　巌・玖村芳典・下城義朗・首藤　晋・日高　修・山田有紀・山崎壮一・浜本毅司・白武慎一郎・高島大三郎・宮川　正（東芝）・大槻純人（東芝マイクロエレクトロニクス）

(7) 15:50 - 16:15
マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相井堆積装置の開発と強誘電体Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7膜の形成
○高橋一郎・船岩　清・安曇啓太・山下　哲・白井恭雪・平山昌樹・寺元章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）

(8) 16:15 - 16:40
微細ＭＯＳＦＥＴの各種リーク電流を考慮した２電源型システムＬＳＩの消費電力削減効果の検討
○渡辺重佳・花見　智・小林　学・高畠俊徳（湘南工科大）

−−−　閉会挨拶　（ 5分）　−−−

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

4月20日(金)　九州大学西新プラザ　[2月23日(金)]　テーマ：薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術
5月24日(木)～25日(金)　静岡大学浜松キャンパス　[3月15日(木)]　テーマ：結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
6月7日(木)～8日(金)　広島大学（学士会館）　[4月13日(金)]　テーマ：ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催）
6月25日(月)～27日(水)　Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州，韓国　[4月12日(木)]　テーマ：第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ

【問合先】
大野守史（沖電気工業? 半導体事業グループ研究本部）
TEL：042-664-6680,FAX：042-667-8367
E-mail:oh