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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 野村 晋太郎 (筑波大) 幹事補佐 笹子 佳孝 (日立) 日時 2011年11月10日(木) 10：00～15：30 2011年11月11日(金) 10：00～17：00 会場 機械振興会館 地下３階 研修－１（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線「神谷町」駅下車徒歩約７分またはJR「浜松町」駅下車徒歩約18分．http://www.jcmanet.or.jp/gaiyo/map_kaikan.htm） 議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 11月10日(木) 午前 （10：00～11：45） 座長: 国清辰也 （ルネサスエレクトロニクス） −−− オープニング トーク （ 5分 ） −−− (1) 10:05 - 10:55 ［招待講演］電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ・センサの等価回路モデル ○年吉 洋（東大） (2) 10:55 - 11:45 ［招待講演］SISPAD 2011レビュー ○林 洋一（ラピスセミコンダクタ） −−− 昼食 （ 75分 ） −−− 11月10日(木) 午後 （13：00～15：30） 座長: 羽根正巳 （ルネサスエレクトロニクス） (3) 13:00 - 13:50 ［招待講演］3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝（日立） (4) 13:50 - 14:40 ［招待講演］デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 ○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也（東芝） (5) 14:40 - 15:30 ［招待講演］STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション ○福田浩一・西澤正泰・多田哲也（産総研）・Leonid Bolotov（筑波大）・鈴木 腕・佐藤成生（富士通セミコンダクター）・有本 宏・金山敏彦（産総研） 11月11日(金) 午前 （10：00～11：40） 座長: 廣木 彰 （京都工繊大） (6) 10:00 - 10:25 モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション ○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） (7) 10:25 - 10:50 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） (8) 10:50 - 11:15 摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション ○程 賀（名大/JST）・宇野重康（立命館大/JST）・沼田達宏（名大/JST）・中里和郎（名大） (9) 11:15 - 11:40 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～ ○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） −−− 昼食 （ 80分 ） −−− 11月11日(金) 午後 （13：00～15：05） 座長: 安斎久浩 （ソニー） (10) 13:00 - 13:50 ［招待講演］車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題 ○石間伏 寿・植田賢志・長尾 勝・濱田公守（トヨタ自動車） (11) 13:50 - 14:15 BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討 ○宮地幸祐・洪 慶麟・竹内 健（東大） (12) 14:15 - 14:40 MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 ○勝俣 翠・松永翔雲・羽生貴弘（東北大） (13) 14:40 - 15:05 積層方式Chain構造PRAMの設計法 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月11日(金) 午後 （15：20～17：00） 座長: 青木伸俊 （東芝） (14) 15:20 - 15:45 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 ○廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） (15) 15:45 - 16:10 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 ○尹 鍾鐵・廣木 彰（京都工繊大） (16) 16:10 - 16:35 CMOS負荷を持つ大規模RLC回路網の効率的な解析 ○丹治裕一（香川大） (17) 16:35 - 17:00 SGTとFinFETを用いた論理回路のパターン面積の比較検討 ○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月16日(金) 奈良先端科学技術大学院大学 [10月14日(金)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価 2012年2月7日(火)～8日(水) 北海道大学 百年記念会館 [11月15日(火)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2011-10-13 09:07:14 |
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