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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 野村 晋太郎 (筑波大) 幹事補佐 笹子 佳孝 (日立) 日時 2011年12月16日(金) 10：00～17：20 会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 大講義室（http://www.naist.jp/accessmap/index_j.html） 議題 シリコン関連材料の作製と評価 12月16日(金) 午前 （10：00～17：20） (1) 10:00 - 10:20 ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果 ○紺谷拓哉・谷口真央・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (2) 10:20 - 10:40 平面電極を用いた分散型無機ELパネルの基本特性 ○野中俊宏（龍谷大）・浦岡行治（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・山本伸一（龍谷大） (3) 10:40 - 11:00 SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） (4) 11:00 - 11:20 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現 ○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢（京大） (5) 11:20 - 11:40 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価 ○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治（阪電通大） (6) 11:40 - 12:00 Ti電極上コバルトナノ微粒子の位置選択性制御 ○板倉聡之（龍谷大）・山田啓文（京大）・浦岡行治（奈良先端大）・山下一郎（松下電器）・山本伸一（龍谷大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (7) 13:00 - 13:30 ［招待講演］Siスパッタエピタキシーによる単結晶Si太陽電池の作製 ○葉 文昌（島根大）・方 ユー斌・黄 祥恩（台湾科技大） (8) 13:30 - 14:00 ［招待講演］酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響 ○古田 守・島川伸一（高知工科大） (9) 14:00 - 14:20 ゲル－ナノインプリントプロセスによるZnO－2次元フォトニック結晶の作製 ○張 敏・荒木慎司・呂 莉・堀田昌宏・西田貴司・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (10) 14:20 - 14:40 Poly-Si TFTによる温度センサ ○田矢 純・椋田朋訓・中島章弘・木村 睦（龍谷大） (11) 14:40 - 15:00 poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング ○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (12) 15:20 - 15:40 レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 ～ 2次元および3次元シミュレータの開発 ～ ○木村 睦・松木邦晃・斎藤龍輔・塚本周史（龍谷大） (13) 15:40 - 16:00 SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 ○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治（阪電通大） (14) 16:00 - 16:20 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 ○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信（九大） (15) 16:20 - 16:40 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 ○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） (16) 16:40 - 17:00 DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 ○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・横山 新（広島大） (17) 17:00 - 17:20 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2012年2月7日(火)～8日(水) 北海道大学 百年記念会館 [11月15日(火)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 2012年3月5日(月) 機械振興会館 テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2011-12-10 22:02:45 |
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