8月1日(金) 午前  10:30 - 12:10
(1)	10:30-11:20	［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ED2014-53	○高橋　剛・佐藤　優・中舍安宏・芝　祥一・原　直紀・岩井大介（富士通研）
(2)	11:20-11:45	GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 ED2014-54	○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大）
(3)	11:45-12:10	貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ED2014-55	○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原　紳介・遠藤　聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）
	12:10-13:30	休憩　（ 80分 ）
8月1日(金) 午後  13:30 - 16:40
(4)	13:30-14:20	［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ED2014-56	○宮本恭幸・金澤　徹・米内義晴・加藤　淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大）
(5)	14:20-14:45	III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 ED2014-57	○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）
(6)	14:45-15:10	GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 ED2014-58	○竹内克彦・谷口　理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー）
	15:10-15:25	休憩　（ 15分 ）
(7)	15:25-15:50	シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブＴＦＴの作製 ED2014-59	○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行（NEC）・関谷　毅・染谷隆夫（東大）
(8)	15:50-16:15	Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ED2014-60	○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄　文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT）
(9)	16:15-16:40	硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 ED2014-61	○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	上田 哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-： zopac 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E- : irciqei

Last modified: 2014-06-17 15:28:17