11月11日(木) 午前 10:00 - 11:40 |
(1) |
10:00-10:25 |
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 |
三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治(長岡技科大) |
(2) |
10:25-10:50 |
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 |
○荒木 努・川島圭介・山口智広(立命館大)・名西やすし(立命館大/ソウル国立大) |
(3) |
10:50-11:15 |
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 |
○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩(工学院大) |
(4) |
11:15-11:40 |
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 |
○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之(東工大) |
11月11日(木) 午後 13:00 - 17:15 |
(5) |
13:00-13:25 |
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 |
○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政(三重大)・江龍 修(名工大) |
(6) |
13:25-13:50 |
減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN |
○藤田浩平・三宅秀人・平松和政(三重大)・乗松 潤・平山秀樹(理研) |
(7) |
13:50-14:15 |
電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 |
○島原佑樹・三宅秀人・平松和政(三重大)・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正(浜松ホトニクス) |
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14:15-14:30 |
休憩 ( 15分 ) |
(8) |
14:30-14:55 |
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 |
○山口敦史(金沢工大)・小島一信(京大) |
(9) |
14:55-15:20 |
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ~ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ~ |
○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一(京大) |
(10) |
15:20-15:45 |
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 |
○大音隆男・Ryan G. Banal(京大)・片岡 研(ウシオ電機)・船戸 充・川上養一(京大) |
(11) |
15:45-16:10 |
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 |
○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志(名工大) |
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16:10-16:25 |
休憩 ( 15分 ) |
(12) |
16:25-16:50 |
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 |
○大井幸多(北大)・橋詰 保(北大/JST) |
(13) |
16:50-17:15 |
ミリ波高出力GaN-HEMT |
○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治(富士通/富士通研)・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一(富士通研)・吉川俊英(富士通/富士通研) |
11月12日(金) 午前 10:00 - 11:40 |
(14) |
10:00-10:25 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 |
○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子(北大)・橋詰 保(北大/JST) |
(15) |
10:25-10:50 |
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 |
○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹(豊田中研)・杉本雅裕(トヨタ自動車) |
(16) |
10:50-11:15 |
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード |
○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治(パウデック)・松枝敏晴・碓井 彰(古河機械金属) |
(17) |
11:15-11:40 |
低転位GaN基板上縦型HFET |
○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫(住友電工) |
11月12日(金) 午後 13:00 - 17:00 |
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【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」
1)ノーマリオフのためのデバイス構造(70分) 司会:橋詰保(北大)
(休憩10分)
2)電流変動(コラプス)の機構と制御法(70分) 司会:橋詰保(北大)
(休憩10分)
3)GaNデバイスの長所・弱点(70分) 司会:加地徹(豊田中研) |