11月28日(木) 午前 10:30 - 17:30 |
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10:30-10:35 |
委員長挨拶 ( 5分 ) |
(1) |
10:35-11:00 |
InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 |
○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨(パナソニック) |
(2) |
11:00-11:25 |
m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 |
○藤田稔之・山田篤志・井上 彰・加藤 亮・横川俊哉(パナソニック) |
(3) |
11:25-11:50 |
350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 |
○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇(名城大)・天野 浩(名大) |
(4) |
11:50-12:15 |
内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ~ シリコン基板への応用 ~ |
○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊(並木精密宝石) |
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12:15-13:30 |
昼食,休憩 ( 75分 ) |
(5) |
13:30-13:55 |
表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 |
○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝(阪市大)・新井 学(新日本無線) |
(6) |
13:55-14:20 |
表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 |
○梁 剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝(阪市大) |
(7) |
14:20-14:45 |
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 |
○渡邉則之・満原 学・横山春喜(NTT)・梁 剣波・重川直輝(阪市大) |
(8) |
14:45-15:10 |
GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 |
○塩島謙次・木原雄平・青木俊周(福井大)・金田直樹・三島友義(日立金属) |
(9) |
15:10-15:35 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 |
○塩島謙次・青木俊周(福井大)・金田直樹・三島友義(日立金属) |
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15:35-15:50 |
休憩 ( 15分 ) |
(10) |
15:50-16:15 |
高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 |
○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博(名大) |
(11) |
16:15-16:40 |
MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 |
○若杉侑矢・本田善央・天野 浩(名大) |
(12) |
16:40-17:05 |
A novel method for crystallizations of aluminum nitride |
○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami(Kyoto Univ.) |
(13) |
17:05-17:30 |
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 |
○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大)・天野 浩(名大) |
11月29日(金) 午前 09:30 - 17:10 |
(14) |
09:30-09:55 |
赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 |
○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文(阪大) |
(15) |
09:55-10:20 |
有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 |
○桒田宗一郎・小泉 淳・藤原康文(阪大) |
(16) |
10:20-10:45 |
加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 |
○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩(名大) |
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10:45-11:00 |
休憩 ( 15分 ) |
(17) |
11:00-11:25 |
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 |
○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政(三重大)・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介(エア・ウォーターR&D) |
(18) |
11:25-11:50 |
サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 |
○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政(三重大)・福山博之(東北大) |
(19) |
11:50-12:15 |
減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 |
○北川 慎・三宅秀人・平松和政(三重大) |
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12:15-13:30 |
昼食,休憩 ( 75分 ) |
(20) |
13:30-13:55 |
270nm帯深紫外LEDの大面積形成 |
○美濃卓哉(理研/パナソニック)・平山秀樹(理研)・野口憲路・高野隆好・椿 健治(理研/パナソニック) |
(21) |
13:55-14:20 |
透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 |
○前田哲利・平山秀樹(理研) |
(22) |
14:20-14:45 |
AlGaN系深紫外LEDの開発 |
○一本松正道・平野 光(創光科学)・天野 浩(名大)・赤崎 勇(名城大) |
(23) |
14:45-15:10 |
高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 |
○豊田史朗(埼玉大/理研)・平山秀樹(理研)・鎌田憲彦(埼玉大) |
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15:10-15:25 |
休憩 ( 15分 ) |
(24) |
15:25-15:50 |
ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 |
○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道(北大) |
(25) |
15:50-16:15 |
ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 |
○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明(福井大) |
(26) |
16:15-16:40 |
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 |
○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友(北大) |
(27) |
16:40-17:05 |
GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 |
○井手利英・鍛冶良作・清水三聡(産総研)・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅(パナソニック) |
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17:05-17:10 |
委員長挨拶 ( 5分 ) |