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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 藤島 実 (広島大)
副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 吉田 毅 (広島大)
幹事補佐 高宮 真 (東大), 岩崎 裕江 (NTT), 橋本 隆 (パナソニック), 伊藤 浩之 (東工大), 範 公可 (電通大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 8月24日(月) 09:30 - 18:25
2015年 8月25日(火) 09:30 - 14:50
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 1日目:熊本市民会館大会議室、2日目:くまもと県民交流会館パレア 会議室1 
住所 1日目:〒860-0805 熊本市中央区桜町1番3号、2日目:熊本市中央区手取本町8-9 テトリアくまもと 9F
交通案内 一日目 http://www.city.kumamoto.jp/hpKiji/pub/detail.aspx?c_id=5&id=2931&class_set_id=2&class_id=1865, 2日目 http://www.parea.pref.kumamoto.jp
会場世話人
連絡先
萩原良昭 (崇城大学)
他の共催 ◆共催:IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter
お知らせ ◎1日目と2日目で会場が異なりますので、ご注意ください。
1日目:熊本市民会館 大会議室
2日目:くまもと県民交流会館パレア 会議室1
1日目終了後に懇親会を予定しております。奮ってご参加ください。
◎1日目の開始時間が9:00から9:30に変更になりました。ご注意ください。

8月24日(月) 午前 
09:30 - 18:25
(1) 09:30-10:20 [招待講演]フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発 ○早川幸夫・姫野敦史・安原隆太郎・藤井 覚・伊藤 理・川島良男・池田雄一郎・川原昭文・河合 賢・魏 志強・村岡俊作・島川一彦・三河 巧・米田慎一(パナソニック)
(2) 10:20-10:45 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発 ○新川田裕樹・坪井信生(ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史(ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾(関西大)・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(3) 10:55-11:45 [招待講演]TFET(トンネルトランジスタ)のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討 ○田中千加・外園 明・安達甘奈・後藤正和・近藤佳之・杉崎絵美子・藤松基彦・原 浩幸・宮野信治・櫛田桂一・川中 繁(東芝)
(4) 11:45-12:35 [招待講演]負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 ○小林正治・平本俊郎(東大)
  12:35-13:35 昼食 ( 60分 )
(5) 13:35-14:25 [招待講演]原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM ○辻 幸秀・白 旭・宮村 信・阪本利司・多田宗弘・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸(NEC)・杉井信之(日立)・波田博光(NEC)
(6) 14:25-14:50 非均等な時間間隔サンプリングされたデータの周波数成分ベクトルを求める演算回路 ○田中 優・梁 維焜・萩原良昭(崇城大)
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(7) 15:00-15:50 [招待講演]低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題 ○入沢寿史(産総研)・池田圭司・上牟田雄一・小田 穣・手塚 勉(産総研/東芝)・前田辰郎・太田裕之・遠藤和彦(産総研)
(8) 15:50-16:15 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討 ○岡垣 健・渋谷宏治・森本薫夫・塚本康正・新居浩二・小野沢和徳(REL)
  16:15-16:25 休憩 ( 10分 )
(9) 16:25-18:25 パネルディスカッション"極低消費電力LSIに新構造、新材料デバイスをどう使うか?"
[モデレーター]鳥海 明 (東京大学)
[パネリスト]入沢寿史(産総研)、田中千加(東芝)、小林正治(東京大学)、辻幸秀(NEC)、新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)
8月25日(火) 午前 
09:30 - 14:50
(10) 09:30-10:20 [招待講演]低電力混載ReRAM技術 ○植木 誠・田辺 昭・砂村 潤・成廣 充・上嶋和也・増﨑幸治・古武直也・満生 彰・武田晃一・長谷 卓・林 喜宏(ルネサス エレクトロニクス)
(11) 10:20-10:45 再構成可能論理回路の設計と構成素子の見積もり ○嘉藤淳紀・渡辺重佳・二宮 洋・小林 学・三浦康之(湘南工科大)
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(12) 10:55-11:45 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之(日立)・水谷朋子・小林正治・平本俊郎(東大)
(13) 11:45-12:10 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大)
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
(14) 13:10-14:00 [招待講演]45.5% Energy Reduction by applying DVFS and Multi-Level-Shift Architecture for Low-Power SoCs ○田辺 聡・村松 篤・川崎健一・毛利真寿・石原輝雄(富士通研)
(15) 14:00-14:50 [招待講演]A 25Gb/s Hybrid Integrated Silicon Photonic Transceiver in 28nm CMOS and SOI ○Toshihiko Mori・Yanfei Chen・Masaya Kibune(Fujitsu Lab.)・Asako Toda(Fujitsu Lab. America)・Akinori Hayakawa・Tomoyuki Akiyama・Shigeaki Sekiguchi・Hiroji Ebe・Nobuhiro Imaizumi・Tomoyuki Akahoshi(Fujitsu Lab.)・Suguru Aiyama・Shinsuke Tanaka・Takasi Simoyama(PETRA)・Ken Morito(Fujitsu Lab.)・Takuji Yamamoto(Fujitsu Lab. America)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 弘明 (日本写真印刷)
TEL 075-823-5327
E--mail:h-ss 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝)
Tel 044-549-2870
E--mail: ba 


Last modified: 2015-06-30 15:07:42


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