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超伝導エレクトロニクス研究会（SCE） [schedule] [select]
専門委員長 田辺 圭一
幹事 平野 悟， 前澤 正明
幹事補佐 明連 広昭

日時 2007年 7月27日(金)　10:30 - 14:15
議題 一般 
会場名 機械振興会館地下3階1号室 
住所 〒105-0011東京都港区芝公園３－５－８
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分，都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分，都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分，都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分，JR浜松町駅下車 徒歩15分
http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm

7月27日(金) 午前 
10:30 - 11:45
(1) 10:30-10:55 MOD法によるMgO基板上へのSTOおよびBi-2212薄膜の作製 ○渡邉省司・立木　隆・内田貴司（防衛大）・内山哲治（宮城教大）
(2) 10:55-11:20 希塩酸処理プロセスによるBi-2212スタックの作製と特性評価 ○加藤孝弘・染矢和樹・吉田　隆・名和海明・毛利千里・富永隼賢・入江勇太・濱崎勝義（長岡技科大）・島影　尚（NICT）
(3) 11:20-11:45 長い接合を有するBi-2212固有ジョセフソン接合のマイクロ波応答 ○立木　隆・内田貴司（防衛大）
  11:45-13:00 昼食　（ 75分 ）
7月27日(金) 午後 
13:00 - 14:15
(4) 13:00-13:25 接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス ○水柿義直・柏　竜太（電通大）
(5) 13:25-13:50 超伝導トンネル接合フォトン検出器の構造とその特性 ○田井野　徹・渡邉　穣（埼玉大）・佐藤広海（理研）・明連広昭・高田　進（埼玉大）
(6) 13:50-14:15 Nb/AlOx/Nb接合の特性電圧の評価 ○前澤正明・平山文紀（産総研）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SCE 超伝導エレクトロニクス研究会（SCE）   [今後の予定はこちら]
問合先 前澤 正明 (産業技術総合研究所）
TEL: 029-861-5471, FAX: 029-861-5530
email: aeaist 


Last modified: 2007-07-24 15:42:56


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