4月8日(金)
10:55 - 17:40 |
| (1) |
10:55-11:20 |
固液界面におけるチトクロームcの固定化と直接電子移動反応に対する表面修飾の効果 |
○松田直樹・岡部浩隆（産総研） |
| (2) |
11:20-12:00 |
［招待講演］有機薄膜太陽電池の性能におよぼすMoO3陰極バッファーの効果 |
○景山 弘・林 翔太郎・長谷部大知・石川岩道・仲本裕介（琉球大）・森宗太一郎（香川高専） |
| (3) |
12:00-12:40 |
［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 |
○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大） |
| |
12:40-13:40 |
休憩 （ 60分 ） |
| (4) |
13:40-14:20 |
［招待講演］メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象 |
○松尾直人・高田忠雄・部家 彰・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大）・大村泰久（関西大） |
| (5) |
14:20-15:00 |
［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 |
○志村洋介（静岡大）・竹内和歌奈・坂下満男・黒澤昌志・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (6) |
15:00-15:25 |
絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成 |
○茂藤健太・松村 亮・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大） |
| |
15:25-15:35 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:35-16:00 |
金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成 |
○酒井崇嗣・松村 亮・佐道泰造・宮尾正信（九大） |
| (8) |
16:00-16:25 |
非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 |
○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） |
| (9) |
16:25-16:50 |
大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 |
中谷太一・原田大夢・○東 清一郎（広島大） |
| (10) |
16:50-17:15 |
スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT |
○原田大成・我喜屋風太・安次富卓哉・岡田竜弥・野口 隆（琉球大）・野田勘治・諏訪 輝（ギガフォトン）・池上 浩（九大）・奥山哲雄（東洋紡） |
| (11) |
17:15-17:40 |
パネル上システムのための青色半導体レーザアニーリングにより形成された高光伝導性シリコン薄膜 |
○コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ・中尾浩太・岡田竜弥・野ロ 隆（琉球大） |
4月9日(土)
09:30 - 12:30 |
| (12) |
09:30-10:10 |
［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 |
○尹 聖民・金 昭淨・朴 珉智・尹 多貞（慶熙大） |
| (13) |
10:10-10:50 |
［招待講演］フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ |
○古田 守・戸田達也・辰岡玄悟・曲 勇作（高知工科大） |
| (14) |
10:50-11:15 |
デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ |
○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） |
| (15) |
11:15-11:40 |
High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT |
仁部翔太・○大澤弘樹・原 明人（東北学院大） |
| (16) |
11:40-12:05 |
ポリシリコンTFTのスパッタSiO2ゲート絶縁膜への低温アニール効果 |
○玉城 光・井村公彦・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
| (17) |
12:05-12:30 |
レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用 |
○陳 訳・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
: 
h
ed
k
shu-u
h
i
-u
gu
