5月14日(木) 午後
13:30 - 17:05 |
| (1) |
13:30-13:55 |
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 |
○以西雅章・倉地雄史・山田典史・武内俊憲・宝珍敬志（静岡大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価 |
○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大） |
| (3) |
14:20-14:45 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成における石英円筒の効果 |
○細川貴之・関川智士・以西雅章（静岡大） |
| (4) |
14:45-15:10 |
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 |
○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） |
| |
15:10-15:25 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
15:25-15:50 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成と光触媒特性 |
○伊藤達也・遠藤立弥・以西雅章（静岡大）・境 哲也・星 陽一（東京工芸大） |
| (6) |
15:50-16:15 |
A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications |
○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） |
| (7) |
16:15-16:40 |
第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 |
○中島佑基・市村正也（名工大） |
| (8) |
16:40-17:05 |
Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates |
○Akihiko Hiroe・Tetsuya Goto・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
5月15日(金) 午前
09:00 - 11:45 |
| (9) |
09:00-09:25 |
Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method |
○Govindasamy Rajesh・Hisashi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Akira Tanaka（Shizuoka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| (10) |
09:25-09:50 |
Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 |
○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大） |
| (11) |
09:50-10:15 |
Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLP |
○Mouleeswaran Deivasigamani.・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| |
10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (12) |
10:30-10:55 |
MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 |
○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大） |
| (13) |
10:55-11:20 |
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 |
○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (14) |
11:20-11:45 |
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 |
○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
5月15日(金) 午後
13:00 - 14:40 |
| (15) |
13:00-13:25 |
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 |
○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） |
| (16) |
13:25-13:50 |
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 |
○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政（三重大） |
| (17) |
13:50-14:15 |
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 |
○田島正文・橋詰 保（北大） |
| (18) |
14:15-14:40 |
GaNの電気化学酸化による表面制御 |
○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰 保（北大） |
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