| |
13:00-13:05 |
開会あいさつ （ 5分 ） |
11月30日(木) 午後 EDセッション 1
座長: 山本 佳嗣（三菱電機）
13:05 - 14:45 |
| (1) |
13:05-13:30 |
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 |
○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 |
○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 |
○久保俊晴・江川孝志（名工大） |
| (4) |
14:20-14:45 |
ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 |
○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） |
| |
14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
11月30日(木) 午後 EDセッション2
座長: 久保 俊晴（名工大）
14:55 - 16:10 |
| (5) |
14:55-15:20 |
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 |
○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 |
○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大） |
| (7) |
15:45-16:10 |
MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長 |
○渡邉浩崇・新田州吾・藤元直樹・川崎晟也・隈部岳瑠・大西一生・本田善央・天野 浩（名大） |
| |
16:10-16:20 |
休憩 （ 10分 ） |
11月30日(木) 午後 LQEセッション1
座長: 山口 敦史（金沢工大）
16:20 - 17:35 |
| (8) |
16:20-16:45 |
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 |
○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） |
| (9) |
16:45-17:10 |
半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ |
○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） |
| (10) |
17:10-17:35 |
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 |
○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） |
12月1日(金) 午前 LQEセッション2
座長: 藤田 和上（浜松ホトニクス）
09:30 - 11:10 |
| (11) |
09:30-09:55 |
ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善 |
○土佐宏樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大） |
| (12) |
09:55-10:20 |
ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 |
○神野翔綺・山口敦史・森 恵人（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・冨谷茂隆・工藤喜弘（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
| (13) |
10:20-10:45 |
一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 |
○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
| (14) |
10:45-11:10 |
BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価 |
○中野貴之・高橋祐吏・太田悠斗・清水勇希・井上 翼・青木 徹（静岡大） |
| |
11:10-11:20 |
休憩 （ 10分 ） |
12月1日(金) 午前 CPMセッション
座長: 寺迫 智昭（愛媛大学）
11:20 - 12:35 |
| (15) |
11:20-11:45 |
可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成 |
○森 耀平・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大） |
| (16) |
11:45-12:10 |
熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性 |
廣田 楓・中堀将人・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大） |
| (17) |
12:10-12:35 |
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構 |
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大） |
| |
12:35-14:00 |
休憩 （ 85分 ） |
12月1日(金) 午後 LQEセッション3
座長: 平山 秀樹（理研）
14:00 - 15:40 |
| (18) |
14:00-14:25 |
その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御 |
○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大） |
| (19) |
14:25-14:50 |
ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製 |
○渡邊琉加・小林憲汰・柳川光樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大） |
| (20) |
14:50-15:15 |
縦型AlGaN系UV-B LDの作製 |
○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事） |
| (21) |
15:15-15:40 |
III族窒化物半導体光・電子デバイスの サーマルマネージメントへ向けて |
○石谷善博・地﨑匡哉・ティーアイ カインシュウェ・林 伯金・浅地竜也・馬 蓓（千葉大） |
| |
15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
12月1日(金) 午後 LQEセッション4
座長: 三好 実人（名古屋工大）
15:50 - 17:10 |
| (22) |
15:50-16:15 |
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール |
○大石悠翔・肖 世玉・上杉謙次郎・秋山 亨・玉野智弘・三宅秀人（三重大） |
| (23) |
16:15-16:40 |
ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価 |
○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大） |
| (24) |
16:40-17:05 |
230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 |
○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司 光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫 恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研） |
| |
17:05-17:10 |
閉会あいさつ （ 5分 ） |
: 
n-
-u
a
-u