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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (日本エーエスエム)
幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

日時 2023年 6月26日(月)　10:00 - 15:30
議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 
会場名 広島大学 ナノデバイス研究所 
住所 〒739-8527 広島県東広島市鏡山1-4-2
交通案内 https://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/
会場世話人
連絡先		 細井 卓治 （関西学院大学）
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月26日(月) 午前 
10:00 - 15:30
  10:00-10:10 挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式　（ 10分 ）
(1) 10:10-10:50 ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田　圭・姜　旼秀・陳　家驄・トープラサートポン カシディット・竹中　充・高木信一（東大）
(2) 10:50-11:30 ［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡　博史・稲葉　工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森　貴洋（産総研）
(3) 11:30-11:50 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平　諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）
(4) 11:50-12:10 FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 ○斎藤陽斗・牧原克典・谷田　駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）
(5) 12:10-12:30 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）
  12:30-13:30 昼休憩　（ 60分 ）
(6) 13:30-14:10 ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛　埴・谷内敏之（東大）
(7) 14:10-14:50 ［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証 ○冨岡克広・勝見　悠・本久順一（北大）
(8) 14:50-15:30 ［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～ ○手面　学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア）
  - 研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象）

講演時間
一般講演発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分
記念講演発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分
依頼講演発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 細井 卓治 （関西学院大学）
ikni 


Last modified: 2023-04-26 20:21:29


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