10月25日(木) 午後 15:20 - 17:00 |
(1) |
15:20-15:45 |
SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 |
○諏訪智之・寺本章伸(東北大)・室 隆桂之・木下豊彦(高輝度光科学研究センター)・須川成利・服部健雄・大見忠弘(東北大) |
(2) |
15:45-16:10 |
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 |
○岡田葉月・小松 新・渡辺将人(東京都市大)・泉 雄大・室 隆圭介(高輝度光科学研究センター)・澤野憲太郎・野平博司(東京都市大) |
(3) |
16:10-16:35 |
微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 |
○永田晃基・山口拓也・小椋厚志(明大)・小金澤智之・廣澤一郎(高輝度光科学研究センター)・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘(東北大) |
(4) |
16:35-17:00 |
温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 |
○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一(京大) |
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17:00-17:30 |
休憩 ( 30分 ) |
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17:30-19:30 |
懇親会 ( 120分 ) |
10月26日(金) 午前 09:30 - 14:15 |
(5) |
09:30-09:55 |
Noise Performance of Accumulation MOSFETs |
○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi(Tohoku Univ.) |
(6) |
09:55-10:20 |
PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス |
○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘(東北大) |
(7) |
10:20-11:50 |
[特別講演]シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 |
○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利(東北大) |
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11:50-13:00 |
昼食 ( 70分 ) |
(8) |
13:00-13:25 |
Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator |
○Min Liao(Tokyo Inst. of Tech.)・Hiroshi Ishiwara(Konkuk Univ.)・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
(9) |
13:25-13:50 |
Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering |
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
(10) |
13:50-14:15 |
シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 |
○酒井 健・吉田達朗(東北大)・吉川和博(東北大/アプリシアテクノロジー)・大見忠弘(東北大) |