1月29日(金) 午前 MW研 一般講演
座長: 平野 拓一（東京都市大学）
10:25 - 12:10 |
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10:25-10:30 |
MW研委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:30-10:55 |
電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究 |
○二ッ矢幹基・石崎俊雄（龍谷大） |
| (2) |
10:55-11:20 |
複数放射素子・複数共振器で構成される3直交軸成分放射60 GHz帯平面アンテナの測定評価 |
○大平昌敬・馬 哲旺（埼玉大） |
| (3) |
11:20-11:45 |
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果 |
○森野芳昭・津留正臣（三菱電機） |
| (4) |
11:45-12:10 |
2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果 |
○横溝真也・森野芳昭・津留正臣（三菱電機） |
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12:10-13:00 |
休憩 （ 50分 ） |
1月29日(金) 午後 ED研 一般講演
座長: 宮本 恭幸（東京工業大学）
13:00 - 14:15 |
| (5) |
13:00-13:25 |
HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 |
○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） |
| (6) |
13:25-13:50 |
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析 |
○伊藤海到・大石敏之（佐賀大） |
| (7) |
13:50-14:15 |
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 |
○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） |
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14:15-14:25 |
休憩 （ 10分 ） |
1月29日(金) 午後 MW研 一般講演
座長: 大石 敏之（佐賀大学）
14:25 - 15:40 |
| (8) |
14:25-14:50 |
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 |
○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤 優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研） |
| (9) |
14:50-15:15 |
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討 |
○谷口慶伍（東京理科大）・細谷友崇（東北大）・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・末光哲也・佐藤 昭（東北大） |
| (10) |
15:15-15:40 |
ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討 |
○竹添慎司・森野芳昭・津留正臣（三菱電機） |
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15:40-15:50 |
休憩 （ 10分 ） |
1月29日(金) 午後 MW研 招待講演
座長: 古神 義則（宇都宮大）
15:50 - 16:40 |
| (11) |
15:50-16:40 |
［招待講演］次世代電力増幅器の高効率化技術と歪み補償技術 |
○山岡敦志・ホーン トーマス・江頭慶真・山口恵一（東芝） |
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16:40-16:45 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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