4月12日(木) 午前
09:00 - 10:30 |
| (1) |
09:00-09:30 |
混載向け高速ＭＲＡＭセル技術 |
○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・志村健一・笠井直記（NEC） |
| (2) |
09:30-10:00 |
STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討 |
○上田善寛・岩田佳久・稲場恒夫・清水有威・板垣清太郎・土田賢二（東芝） |
| (3) |
10:00-10:30 |
セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM |
○村井泰光・谷崎弘晃（ルネサスデザイン）・辻 高晴・大谷 順・山口雄一郎・古田陽雄・上野修一・大石 司・林越正紀・日高秀人（ルネサステクノロジ） |
4月12日(木) 午前
10:40 - 12:00 |
| (4) |
10:40-11:10 |
MIM(Metal-Insulator-Metal) キャパシタを用いた混載DRAM用デバイステクノロジー |
○谷川高穂・山縣保司・白井浩樹・杉村啓世・和気智子・井上 顕・佐甲 隆・坂尾眞人（NECエレクトロニクス） |
| (5) |
11:10-12:00 |
［招待講演］書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ |
○小田部 晃・半澤 悟（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・長田健一・松井裕一・松崎 望・高浦則克（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） |
4月12日(木) 午後
13:00 - 15:20 |
| (6) |
13:00-13:50 |
［招待講演］双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM（SPin-transfer torque RAM) |
○竹村理一郎・河原尊之・三浦勝哉（日立）・早川 純（日立/東北大）・池田正二・李 永珉・佐々木龍太郎（東北大）・後藤 康・伊藤顕知（日立）・目黒敏靖・松倉文礼（東北大）・高橋宏昌（日立/東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） |
| (7) |
13:50-14:20 |
ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM |
○藤原英弘・新居浩二・野口紘希・宮越純一・村地勇一郎・森田泰弘・川口 博・吉本雅彦（神戸大） |
| (8) |
14:20-14:50 |
低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM |
○島野裕樹・森下 玄・堂阪勝己・有本和民（ルネサステクノロジ） |
| (9) |
14:50-15:20 |
バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発 |
○杉崎太郎・中村元昭・柳田将志・本田元就・篠原光子・生田哲也・大地朋和・釘宮克尚・山本 亮・神田さおり・山村育弘・屋上公二郎・小田達治（ソニー） |
4月12日(木) 午後
15:30 - 17:30 |
| (10) |
15:30-17:30 |
［パネル討論］[口頭発表] 45nm時代以降のSRAMの諸問題と解決策（仮題） |
○吉本雅彦（神戸大） |
4月13日(金) 午前
09:10 - 10:30 |
| (11) |
09:10-09:40 |
Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability |
○中島博臣・楠 直樹・篠 智彰（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・大澤 隆・藤田勝之・幾見宣之・松岡史宜・福田 良・渡辺陽二・南 良博（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・西村 潤・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝） |
| (12) |
09:40-10:30 |
［招待講演］A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die |
○Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Kazushi Kono（Renesas Technology）・Yuji Oda（Shikino High-Tech）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Keiichi Usui（Daioh Electric）・Toshiaki Yonezu・Takeshi Iwamoto・Koji Nii・Yasumasa Tsukamoto・Masashi Arakawa・Takahiro Uchida・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology） |
4月13日(金) 午前
10:30 - 11:50 |
| (13) |
10:30-11:00 |
0.14pJ/b 誘導結合トランシーバ |
○三浦典之・石黒仁揮（慶大）・桜井貴康（東大）・黒田忠広（慶大） |
| (14) |
11:00-11:50 |
［招待講演］SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ：Twin transistor RAM(TT-RAM) |
○有本和民・森 下玄・林 勇・堂阪勝己（ルネサステクノロジ） |
4月13日(金) 午後
13:00 - 14:50 |
| (15) |
13:00-13:50 |
［招待講演］高速ユニポーラスイッチングRRAM技術 |
○細井康成・玉井幸夫・大西哲也・石原数也・渋谷隆広・井上雄史・山崎信夫・中野貴司・大西茂夫・粟屋信義（シャープ）・井上 公・島 久・秋永広幸・高木英典・赤穂博司（産総研） |
| (16) |
13:50-14:20 |
不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上 |
○砂村 潤・五十嵐多恵子・森岡あゆ香・小辻 節・忍田真希子・五十嵐信行・藤枝信次・渡辺啓仁（NEC） |
| (17) |
14:20-14:50 |
二重接合を用いた２５ｎｍＳＯＮＯＳ型メモリ素子 |
○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝） |
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