6月19日(金) 午前 レギュラーセッション
09:30 - 11:50 |
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09:25-09:30 |
世話人挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
09:30-10:00 |
Geの材料物性ーSiとの比較 |
○伊藤公平（慶大） |
| (2) |
10:00-10:20 |
分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ～ SiO2/Siとの違い ～ |
○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明（早大） |
| (3) |
10:20-10:40 |
Si酸化における界面反応の第一原理計算 |
○秋山 亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大） |
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10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
10:50-11:20 |
GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 |
○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大） |
| (5) |
11:20-11:50 |
GeMIS界面欠陥の電気的性質 |
○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） |
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11:50-12:40 |
昼食 （ 50分 ） |
6月19日(金) 午後 レギュラーセッション
12:40 - 16:40 |
| (6) |
12:40-13:00 |
Ge MOSデバイスの熱安定性 ～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ～ |
○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島 章（東芝）・手塚 勉（MIRAI-東芝） |
| (7) |
13:00-13:20 |
金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 |
○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） |
| (8) |
13:20-13:40 |
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 |
○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） |
| (9) |
13:40-14:00 |
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 |
○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） |
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14:00-14:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (10) |
14:10-14:30 |
界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ～ Ge基板への絶縁膜形成 ～ |
○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬（九大） |
| (11) |
14:30-14:50 |
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 |
○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
| (12) |
14:50-15:10 |
LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 |
○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） |
| (13) |
15:10-15:30 |
低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 |
○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） |
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15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (14) |
15:40-16:00 |
LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 |
○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） |
| (15) |
16:00-16:20 |
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ |
○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST） |
| (16) |
16:20-16:40 |
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 |
○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） |
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16:40-16:50 |
休憩 （ 10分 ） |
6月19日(金) 午後 ショートプレゼンテーション
16:50 - 17:05 |
| (17) |
16:50-16:55 |
極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 |
○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
| (18) |
16:55-17:00 |
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 |
○五月女真一・中山隆史（千葉大） |
| (19) |
17:00-17:05 |
TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 |
○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
6月19日(金) 午後 ポスターセッション
17:05 - 18:05 |
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ポスターボードのサイズ（１件当たり）：
横９０ｃｍ縦１５０ｃｍ
ショートプレゼンテーション以外の一般口頭発表者に対しても、
口頭発表で用いた図面をベースとしたポスター発表を歓迎いたします。希望者は、６月５日までに、宮崎（        -u )へご一報下さい。 |
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18:05-19:35 |
懇親会 （ 90分 ） |
