1月31日(金) 午前 MW研 一般講演
座長: 片山光亮 (早稲田大)
09:00 - 10:30 |
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09:00-09:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
09:05-09:30 |
リファレンスΔΣ変調器を用いたサイクルスリップによる複数PLL間の位相ずれの補正技術 |
○池田 翔・平井暁人・堤 恒次・津留正臣（三菱電機） |
| (2) |
09:30-09:55 |
集中定数素子で構成した整合回路を用いたトリプレクサの基礎検討 |
○大石元輝・大島心平（小山高専） |
| (3) |
09:55-10:20 |
SOM終端によるS11の校正に適する同軸給電型遮断円筒導波管の構造と各種液体の誘電率測定 |
○柴田幸司（八戸工大） |
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10:20-10:30 |
休憩 （ 10分 ） |
1月31日(金) 午前 ED研 招待/一般講演
座長: 山本佳嗣（三菱電機）
10:30 - 13:10 |
| (4) |
10:30-11:20 |
［招待講演］5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望 |
○井上和孝（住友電工） |
| (5) |
11:20-11:45 |
表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製 |
○檜座秀一・藤川正洋・滝口雄貴・西村邦彦・柳生栄治（三菱電機）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・山向幹雄（三菱電機） |
| (6) |
11:45-12:10 |
コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 |
○堀切文正・福原 昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） |
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12:10-13:10 |
休憩 （ 60分 ） |
1月31日(金) 午後 IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演
座長: 新庄真太郎（三菱電機）
13:10 - 14:10 |
| (7) |
13:10-14:00 |
［特別講演］2019年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告 |
○半谷政毅（三菱電機）・西川健二郎（鹿児島大）・向井謙治（村田製作所）・安部素実・橘川雄亮・幸丸竜太・坂田修一・神岡 純・横溝真也（三菱電機） |
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14:00-14:10 |
休憩 （ 10分 ） |
1月31日(金) 午後 テーマ: IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award 特別講演
座長: 河合正（兵庫県立大）
14:10 - 15:35 |
| (8) |
14:10-14:35 |
［特別講演］THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム |
○徐 照男・濱田裕史・松崎秀昭・野坂秀之（NTT） |
| (9) |
14:35-15:00 |
［特別講演］周期配列誘電体球準零屈折率メタマテリアルによる散乱抑制 |
○高野佑磨・真田篤志（阪大） |
| (10) |
15:00-15:25 |
［特別講演］多入力多出力ワイヤレス給電システムの最大電力伝送効率 |
○ズオン クアンタン・岡田 実（奈良先端大） |
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15:25-15:35 |
休憩 （ 10分 ） |
1月31日(金) 午後 ED研 一般講演
座長: 小谷淳二（富士通研）
15:35 - 16:35 |
| (11) |
15:35-16:00 |
TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析 |
○大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） |
| (12) |
16:00-16:25 |
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 |
○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大） |
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16:25-16:35 |
休憩 （ 10分 ） |
1月31日(金) 午後 MW研 招待講演
座長: 古神義則(宇都宮大)
16:35 - 17:30 |
| (13) |
16:35-17:25 |
［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 |
○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） |
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17:25-17:30 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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