10月25日(火) 午後
13:00 - 17:00 |
| (1) |
13:00-13:25 |
トリウム被覆されたW電界放射陰極の電流放出特性 |
○山梨遼太郎・根尾陽一郎（静岡大）・大野輝昭（テクネックス工房）・三村秀典（静岡大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
エックス線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作特性とその解析 |
○後藤康仁・辻 博司（京大）・長尾昌善（産総研）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
真空トランジスタを用いた増幅器の性能評価のための計算機実験 |
○後藤康仁（京大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み（その2） |
○吉田 満・小林潤一・藤下祐亮・増田則夫（NECネットワーク・センサ）・関根徳彦・菅野敦史・山本直克・笠松章史・寳迫 巌（NICT） |
| (5) |
14:40-15:05 |
シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） |
○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） |
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15:05-15:20 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:20-15:45 |
層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 |
○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ） |
| (7) |
15:45-16:10 |
時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第2報) |
○樋口敏春，佐々木正洋・山田洋一（筑波大） |
| (8) |
16:10-16:35 |
NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断 |
○吉武 亮・光野圭悟・増澤智昭・畑中義式・細田 誠・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） |
| (9) |
16:35-17:00 |
ミニマルファブを活用した微小電子源の作製 |
○長尾昌善・村上勝久・辰巳憲之・クンプアン ソマワン・原 史朗（産総研）・後藤康仁（京大） |
10月26日(水) 午前
09:30 - 13:30 |
| (10) |
09:30-09:55 |
グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子 |
○村上勝久（産総研）・田中駿丞（筑波大）・長尾昌善（産総研）・根本善弘・竹口雅樹（物質・材料研究機構）・藤田淳一（筑波大） |
| (11) |
09:55-10:20 |
Ⅲ族酸化物で修飾したW(100)面からの電子放射 ～ Sc酸化物, Pr酸化物, Nd酸化物による仕事関数低下現象 ～ |
○川久保貴史（香川高専）・中根英章（室蘭工大） |
| (12) |
10:20-10:45 |
コロジオンに分散させた二酸化パラジウムを貴金属供給源とするナノ電子源の作製 |
○浅井泰尊・熊谷成輝・村田英一・六田英治（名城大） |
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10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (13) |
11:00-11:25 |
電界誘起酸素エッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証 |
○若本 実・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大） |
| (14) |
11:25-11:50 |
炭素系材料からの電子放出の機構解明の試み ～ アーク炭素膜とC60分子からの電界放出計測を通じて ～ |
○佐々木正洋・山田洋一・樋口敏春・麻薙 健・安達 学・西山裕二・明神拓真（筑波大） |
| (15) |
11:50-12:15 |
CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 |
○増澤智昭・根尾陽一郎（静岡大）・後藤康仁（京大）・岡本 保（木更津高専）・長尾昌善（産総研）・佐藤信浩（京大）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大）・三村秀典（静岡大） |
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研究室見学会 |
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