11月21日(木) 午前
10:10 - 12:20 |
| (1) |
10:10-10:30 |
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 |
○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉（静岡大） |
| (2) |
10:30-10:50 |
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 |
○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦（静岡大）・酒井 優（山梨大）・光野徹也（静岡大） |
| (3) |
10:50-11:10 |
化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性 |
濱本昂大・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） |
| (4) |
11:10-11:30 |
化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性 |
○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） |
| |
11:30-12:20 |
昼食 （ 50分 ） |
11月21日(木) 午後
12:20 - 13:55 |
| (5) |
12:20-12:40 |
電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善 |
○安部功二・大竹徳人（名工大） |
| (6) |
12:40-13:00 |
β-Ga2O3 SBDを利用したRF－DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性 |
○橋川 誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁（佐賀大） |
| (7) |
13:00-13:20 |
リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 |
○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝） |
| (8) |
13:20-13:40 |
ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 |
○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） |
| |
13:40-13:55 |
休憩 （ 15分 ） |
11月21日(木) 午後
座長: 川口 真生(パナソニック)
13:55 - 15:30 |
| (9) |
13:55-14:15 |
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 |
○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） |
| (10) |
14:15-14:35 |
両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価 |
○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上 翼・中野貴之（静岡大） |
| (11) |
14:35-14:55 |
AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ |
○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） |
| (12) |
14:55-15:15 |
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 |
○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） |
| |
15:15-15:30 |
休憩 （ 15分 ） |
11月21日(木) 午後
座長: 川北 泰雅(古河電工)
15:30 - 16:10 |
| (13) |
15:30-15:50 |
c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 |
○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） |
| (14) |
15:50-16:10 |
AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 |
○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） |
11月22日(金) 午前
09:40 - 10:55 |
| (15) |
09:40-10:00 |
蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価 |
○田村優樹・中村篤志（静岡大） |
| (16) |
10:00-10:20 |
有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討 |
○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） |
| (17) |
10:20-10:40 |
エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化 |
○森 拓海・中村篤志（静岡大） |
| |
10:40-10:55 |
休憩 （ 15分 ） |
11月22日(金) 午前
10:55 - 11:55 |
| (18) |
10:55-11:15 |
pHセンサにおける電極表面特異性の評価 |
○新澤亮介・中村篤志（静岡大） |
| (19) |
11:15-11:35 |
非酵素グルコースセンサの作製 |
○丹羽貴大・中村篤志（静岡大） |
| (20) |
11:35-11:55 |
脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製 |
○中山雄晟・安永弘樹（豊橋技科大）・稲波千尋・大澤匡弘（名古屋市大）・関口寛人（豊橋技科大/JSTさきがけ） |
| |
11:55-12:45 |
昼食 （ 50分 ） |
11月22日(金) 午後
座長: 山口 敦史(金沢工大)
12:45 - 13:45 |
| (21) |
12:45-13:05 |
DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 |
○最上耀介（理研/埼玉大）・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史（SCREEN）・糸数雄吏・桑葉俊輔（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・矢口裕之（埼玉大）・平山秀樹（理研） |
| (22) |
13:05-13:25 |
微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 |
○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大） |
| (23) |
13:25-13:45 |
UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 |
○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） |
| |
13:45-14:00 |
休憩 （ 15分 ） |
11月22日(金) 午後
座長: 川口 真生(パナソニック)
14:00 - 15:00 |
| (24) |
14:00-14:20 |
InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 |
○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） |
| (25) |
14:20-14:40 |
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 |
○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー） |
| (26) |
14:40-15:00 |
光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 |
○角谷正友（物質・材料研究機構） |
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