10月24日(木) 午前 プロセス科学と新プロセス技術(1)
座長: 後藤哲也(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社)
10:00 - 11:40 |
| (1) |
10:00-10:40 |
［招待講演］グラフェンによる低抵抗微細配線の検討 |
○松本貴士（東京エレクトロン） |
| (2) |
10:40-11:00 |
Inhibitorを用いたメタル配線構造への絶縁膜選択成長 |
○池 進一・河野有美子・東雲秀司・柏木勇作（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ） |
| (3) |
11:00-11:20 |
UVナノインプリントリソグラフィの欠陥低減 ～ 高速充填雰囲気ガスプロセスの開発 ～ |
○伊藤俊樹（キヤノン） |
| (4) |
11:20-11:40 |
高速・高SNR吸光イメージングシステムによる真空チャンバ内のガス濃度分布計測および解析 |
○酒井勇志・稲田貴郁・間脇武蔵・諏訪智之・森本達郎・白井泰雪・須川成利・黒田理人（東北大） |
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11:40-13:00 |
お昼休憩 （ 80分 ） |
10月24日(木) 午後 プロセス科学と新プロセス技術(2)
座長: 諏訪智之(東北大)
13:00 - 14:20 |
| (1) |
13:00-13:40 |
［招待講演］窒化物半導体集積回路の作製プロセスの検討 |
○岡田 浩（豊橋技科大） |
| (2) |
13:40-14:20 |
［招待講演］絶縁膜上における多結晶半導体薄膜の高品位形成 |
橋本 隆・梶原隆司・茂藤健太・山本圭介（九大）・岡田竜弥・野口 隆（琉球大）・○佐道泰造（九大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
10月24日(木) 午後 プロセス科学と新プロセス技術(3)
座長: 二瀬卓也(ウエスタンデジタル)
14:30 - 15:30 |
| (3) |
14:30-14:50 |
二段階成膜法を用いた強誘電性HfNxのSi(100)基板上への形成に関する検討 |
○濵田海夢・Li Kangbai・大見俊一郎（東工大） |
| (4) |
14:50-15:10 |
Investigation of post-metallization annealing condition on the ferroelectric HfN1.15 thin film formation |
○Kangbai Li・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） |
| (5) |
15:10-15:30 |
RFスパッタリングを用いて形成したサファイア基板上Ga2O3薄膜の面方位依存性 |
○森田拓海・今泉文伸（小山高専） |
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15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
10月24日(木) 午後 プロセス科学と新プロセス技術(4)
座長: 間脇武蔵(東北大)
15:40 - 17:00 |
| (6) |
15:40-16:20 |
［記念講演］ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温 7ビット セルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用 |
○饗場悠太・田中 瞳・菊島史恵・田中洋毅・藤澤俊雄・佐貫朋也（キオクシア） |
| (7) |
16:20-16:40 |
インピーダンス計測プラットフォームを用いたSiトレンチキャパシタの統計的容量計測 |
○西牧良弥・齊藤宏河・間脇武蔵・黒田理人（東北大） |
| (8) |
16:40-17:00 |
三次元集積デバイスの統計的容量・電流特性計測に向けたインピーダンス計測プラットフォーム |
○齊藤宏河・西牧良弥・間脇武蔵・黒田理人（東北大） |
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