4月10日(月) 午前 メモリ技術(1)
座長: 渡邊大輔(アドバンテスト)、野口英和（マイクロンメモリジャパン）
09:30 - 11:50 |
| (1) |
09:30-09:55 |
［依頼講演］CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM |
○遠藤正己・沼田至優・大嶋和晃・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山崎舜平（半導体エネルギー研） |
| (2) |
09:55-10:20 |
［依頼講演］間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発ストレージセル |
○阿部佑貴・小林和淑（京都工繊大）・塩見 準（阪大）・越智裕之（立命館大） |
| (3) |
10:20-10:45 |
［依頼講演］単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上 |
○田中 瞳・饗場悠太・前田高志・澤 敬一・菊島史恵・佐貫朋也（キオクシア） |
| |
10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
11:00-11:25 |
［依頼講演］高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発 |
○下井貴裕・松原 謙・斉藤朋也・小川大也・帯刀恭彦・金田義宣・伊豆名雅之・武田晃一・三谷秀徳・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） |
| (5) |
11:25-11:50 |
12-nm FinFETおよび28-nm プレナー型SRAMのミューオン起因ソフトエラー断面積の評価 |
○五味唯美・高見一総（京大）・水野るり惠（東大）・新倉 潤（理研）・Yifan DENG・川瀬頒一郎・渡辺幸信（九大）・安部晋一郎（原子力機構）・廖 望（東大）・反保元伸・梅垣いづみ・竹下聡史・下村浩一郎・三宅康博（高エネルギー加速器研究機構/J-PARCセンター）・橋本昌宜（京大） |
4月10日(月) 午後 メモリ技術(2)
座長: 帯刀恭彦(ルネサスエレクトロニクス）、三輪達（ウエスタンデジタル)
13:20 - 17:20 |
| (6) |
13:20-14:10 |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング |
○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） |
| (7) |
14:10-15:00 |
［招待講演］プロセスインメモリ（PIM）アーキテクチャによる情報検索プロセッサの概要と全文検索プロセッサ ～ インデックスやメタデータなどの前処理の要らない情報検索処理の実現を目指して！ ～ |
○井上克己・小高雅則・亀山修一（エイ・オー・テクノロジーズ）・ファン トゥロン トゥック・範 公可（電通大） |
| |
15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (8) |
15:15-16:05 |
［招待講演］不揮発性ロジックLSI技術に基づく次世代エッジコンピューティングの展望 |
○夏井雅典（東北大） |
| (9) |
16:05-16:30 |
［依頼講演］Strong PUF Using SRAM Weak PUF-Based Secret Substitution Layer for Edge-Device Security Applications |
○Kunyang Liu・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） |
| (10) |
16:30-17:20 |
［招待講演］A 3nm Gate-All-Around SRAM Featuring an Adaptive Dual-BL and an Adaptive Cell-Power Assist Circuit |
○Sangyeop Baeck（SEC） |
4月11日(火) 午前 メモリ技術(3)
座長: 滋賀秀裕（キオクシア)
09:30 - 11:50 |
| (11) |
09:30-09:55 |
［依頼講演］電流調整機能を用いたばらつき補正PIMアーキテクチャの開発 |
○北形大樹・田中信二・藤田直哉・入江尚昭（ルネサス エレクトロニクス） |
| (12) |
09:55-10:45 |
［招待講演］A 4-nm 6163-TOPS/W/b 4790-TOPS/mm2/b SRAM based Digital-Computing-in-Memory Macro Supporting Bit-Width Flexibility and Simultaneous MAC and Weight Update |
○Haruki Mori・Wei-Chang Zhao・Cheng-En Lee・Chia-Fu Lee・Yu-Hao Hsu・Chao-Kai Chuang・Takeshi Hashizume・Hao-Chun Tung・Yao-Yi Liu・Shin-Rung Wu・Kerem Akarvardar・Tan-Li Chou・Hidehiro Fujiwara・Yih Wang・Yu-Der Chih・Yen-Huei Chen・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
| |
10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (13) |
11:00-11:50 |
［招待講演］1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read |
○田中智晴（MMJ） |
4月11日(火) 午後 メモリ技術(4)
座長: 川嶋 将一郎(富士通セミコンダクターメモリソリューション)、新居浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン）
13:20 - 17:05 |
| (14) |
13:20-14:10 |
［招待講演］複数ニューラルネットワークに対応したエンドポイントＡＩ向け結晶性酸化物半導体３Ｄバンクメモリシステム |
○八窪裕人・古谷一馬・豊高耕平・片桐治樹・藤田雅史・上妻宗広・安藤善範・黒川義元（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） |
| (15) |
14:10-15:00 |
［招待講演］混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術 |
○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (16) |
15:15-16:05 |
［招待講演］MCU向け混載MRAM IP開発の動向 |
○斉藤朋也（ルネサス エレクトロニクス） |
| (17) |
16:05-17:05 |
［基調講演］スピントロニクス省電力半導体によるゲームチェンジと、カーボンニュートラル社会への貢献 ～ STT/SOT-MRAMからIoT/AIプロセッサーへの展開 ～ |
○遠藤哲郎（東北大） |
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