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電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 葛西 誠也 (北大)
副委員長 新井 学 (名大)
幹事 小山 政俊 (阪工大)， 山本 佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐 川原村 敏幸 (高知工科大)， 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

日時 2025年 6月 6日(金)　13:00 - 16:55
議題 薄膜材料デバイス，一般 
会場名 山形大学 米沢キャンパス 有機エレクトロニクス研究センター（10号館） ４F 大会議室 
住所 〒992-8510 米沢市城南四丁目3-16
交通案内 https://organic.yz.yamagata-u.ac.jp/access.html
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ED研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月6日(金) 午後 
座長: 廣瀬 文彦（山形大）
13:00 - 15:05
(1) 13:00-13:50 ［招待講演］酸化ゲルマニウム薄膜の相制御とそのデバイス応用 ○島添和樹（名工大）・鐘ケ江一孝・清家一朗・西中浩之（京都工繊大）
(2) 13:50-14:15 ミストCVD法によって成膜したc面サファイア基板上非晶質GaOx薄膜の物性と紫外線応答の評価 ○山崎伊織・榎　駿介・西川未咲・小山政俊・藤井彰彦・前元利彦（阪工大）
(3) 14:15-14:40 ミストCVDによるκ-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃の縦型深紫外線フォトダイオード ○木下諒人・西中浩之（京都工繊大）
(4) 14:40-15:05 ミストCVDにおいて溶媒がAlOx薄膜の成長に与える影響 ○川原村敏幸・福江　雅・劉　麗（高知工大）・藤村俊伸（日油）
  15:05-15:15 休憩　（ 10分 ）
6月6日(金) 午後 
座長: 山本 佳嗣（三菱電機）
15:15 - 16:55
(5) 15:15-15:40 β-MoO3単結晶薄膜の分子線エピタキシャル成長と電気化学的なプロトン注入効果 ○鶴山大翔・上林優斗・広藤裕一・廣芝伸哉・小池一歩（阪工大）
(6) 15:40-16:05 パラジウムを修飾した酸化亜鉛薄膜トランジスタの水素応答 ○大塚魁人・宮澤　諒・三浦正範・廣瀬文彦（山形大）
(7) 16:05-16:30 酸化チタン薄膜トランジスタにおけるアルカリ金属吸着効果 ○宮澤　諒・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・廣瀬文彦（山形大）
(8) 16:30-16:55 ドロップ蒸発法による透明酸化鉄薄膜堆積と酸化鉄/酸化ニッケルヘテロ接合の作製 ○市村正也・河村康希（名工大）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 山本 佳嗣(三菱電機)
TEL: 06-6496-9660
E--mail: YaYoguMibiElectc
小山 政俊(阪工大)
TEL: 06-6167-4810
E--mail: oit 


Last modified: 2025-06-13 17:45:36


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